CMOS工艺流程与MOS电路版图举例.ppt

CMOS工艺流程与MOS电路版图举例1.CMOS工艺流程1)简化N阱CMOS工艺演示flash2)清华工艺录像：N阱硅栅CMOS工艺流程3)双阱CMOS集成电路的工艺设计4)图解双阱硅栅CMOS制作流程2.典型N阱CMOS工艺的剖面图3.SimplifiedCMOSProcessFlow4.MOS电路版图举例1)简化N阱CMOS

工艺演示氧化层生长曝光氧化层的刻蚀N阱注入形成N阱氮化硅的刻蚀场氧的生长去除氮化硅重新生长二氧化硅（栅氧）生长多晶硅刻蚀多晶硅刻蚀多晶硅P+离子注入N+离子注入生长磷硅玻璃PSG光刻接触孔刻铝刻铝2)清华工艺录像N阱硅栅CMOS工艺流程初始氧化光刻1，刻N阱N阱形成Si3N4淀积光刻2，刻有源区，场区硼离子注入场氧1光刻3场氧2栅氧化，开启电压调整多晶硅淀积光刻4，刻NMOS管硅栅，

磷离子注入形成NMOS管光刻5，刻PMOS管硅栅，

硼离子注入及推进，形成PMOS管磷硅玻璃淀积光刻6，刻孔、磷硅玻璃淀积回流（图中有误，没刻出孔)蒸铝、光刻7，刻铝、

光刻8，刻钝化孔

（图中展示的是刻铝后的图形）离子注入的应用N阱硅栅CMOS工艺流程形成N阱初始氧化，形成缓冲层，淀积氮化硅层光刻1，定义出N阱反应离子刻蚀氮化硅层N阱离子注入，先注磷31P+，后注砷75As+形成P阱在N阱区生长厚氧化层，其它区域被氮化硅层保护而不会被氧化去掉光刻胶及氮化硅层P阱离子注入，注硼推阱退火驱入，双阱深度约1.8μm去掉N阱区的氧化层形成场隔离区生长一层薄氧化层淀积一层氮化硅光刻2场隔离区，非隔离区被光刻胶保护起来反应离子刻蚀氮化硅场区硼离子注入以防止场开启热生长厚的场氧化层去掉氮化硅层阈值电压调整注入光刻3，VTP调整注入光刻4，VTN调整注入形成硅化物淀积氧化层反应离子刻蚀氧化层，形成侧壁氧化层（spacer,sidewall）淀积难熔金属Ti或Co等低温退火，形成C-47相的TiSi2或CoSi去掉氧化层上的没有发生化学反应的Ti或Co高温退火，形成低阻稳定的TiSi2或CoSi2形成接触孔化学气相淀积BPTEOS硼磷硅玻璃层退火和致密光刻8，接触孔版反应离子刻蚀磷硅玻璃，形成接触孔形成第一层金属淀积金属钨(W)，形成钨塞形成第一层金属淀积金属层，如Al-Si、Al-Si-Cu合金等光刻9，第一层金属版，定义出连线图形反应离子刻蚀金属层，形成互连图形形成穿通接触孔化学气相淀积PETEOS,等离子增强正硅酸四乙酯热分解PlasmaEnhancedTEOS：tetraethylorthosilicate[Si-(OC2H5)4]--通过化学机械抛光进行平坦化光刻穿通接触孔版反应离子刻蚀绝缘层，形成穿通接触孔形成第二层金属淀积金属层，如Al-Si、Al-Si-Cu合金等光刻10，第二层金属版，定义出连线图形反应离子刻蚀，形成第二层金属互连图形合金形成钝化层在低温条件下(小于300℃)淀积氮化硅光刻11，钝化版刻蚀氮化硅，形成钝化图形测试、封装，完成集成电路的制造工艺CMOS集成电路采用(100)晶向的硅材料4)图解双阱硅栅CMOS制作流程首先进行表面清洗，去除wafer表面的保护层和?杂质，三氧化二铝必须以高速粒子撞击，并?用化学溶液进行清洗。然后在表面氧化二氧化硅膜以减小后一步氮化硅对晶圆的表面应力。?

涂覆光阻(完整过程包括，甩胶→预烘→曝光→显影→后烘→腐蚀→去除光刻胶)。其中二氧化硅以氧化形成，氮化硅LPCVD沉积形成(以氨、硅烷、乙硅烷反应生成)。光刻技术去除不想要的部分，此步骤为定出P型阱区域。(所谓光刻胶就是对光或电子束敏感且耐腐蚀能力强的材料，常用的光阻液有S1813,AZ5214等)。光刻胶的去除可以用臭氧烧除也可用专用剥离液。氮化硅用180℃的磷酸去除或含CF4气体的等离子刻蚀(RIE)。???????????????

??在P阱区域植入硼(+3)离子，因硅为+4价，所以形成空洞，呈正电荷状态。(离子植入时与法线成7度角，以防止发生沟道效应，即离子不与原子碰撞而直接打入)。每次离子植入后必须进行退火处理，以恢复晶格的完整性。(但高温也影响到已完成工序所形成的格局)。??

LOCOS(local?oxidation?of?silicon)选择性氧化：湿法氧化二氧化硅层，因