自旋电子器件的参数检测和关键材料研究的中期报告.docxVIP

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自旋电子器件的参数检测和关键材料研究的中期报告

自旋电子器件参数检测:

自旋电子器件的参数检测是评估器件性能和可靠性的重要方法。在中期报告中,我们完成了以下自旋电子器件参数的测量:

1.磁滞回线和饱和磁化强度的测量:我们使用霍尔探针测量了自旋电子器件的磁滞回线和饱和磁化强度,其中磁滞回线用于评估器件的稳定性,饱和磁化强度对于器件性能具有重要的影响。

2.磁电阻比的测量:磁电阻比是自旋电子器件中重要的参数之一,用于评估器件的灵敏度和稳定性。我们使用四探针技术测量了器件的磁电阻比,并比较了不同探针方向下的测量结果。

3.噪声测量:器件的噪声是评估器件可靠性和性能的重要指标,我们使用锁相放大技术测量了器件的噪声,并比较了不同试验条件下的噪声结果。

自旋电子器件关键材料研究:

自旋电子器件的性能和可靠性很大程度上取决于使用的材料。在中期报告中,我们完成了以下自旋电子器件关键材料的研究:

1.合成和表征自旋极化层材料:我们合成了不同厚度和组成的自旋极化层材料,并使用扫描电子显微镜和X射线衍射仪等技术表征了材料的形貌和结构。同时,使用霍尔探针测量了材料的自旋极化效率。

2.合成和表征隧道磁电阻层材料:我们合成了不同厚度和组成的隧道磁电阻层材料,并使用扫描电子显微镜和X射线衍射仪等技术表征了材料的形貌和结构。同时,使用四探针技术测量了材料的磁电阻比。

3.探究自旋注入材料的特性:我们合成了不同厚度和组成的自旋注入材料,并研究了材料的自旋注入效率和稳定性。使用薄膜剥离技术和X射线衍射仪等技术表征了材料的形貌和结构。

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