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本发明公开了一种TrenchMOS器件及其制造方法，所述制造方法包括：S1.提供一衬底；S2.在所述衬底一表面上淀积LPTEOS，并对所述表面进行刻蚀，形成沟槽；S3.以剩余所述LPTEOS作为掩蔽层，在沟槽底部进行N型重掺杂得到N型半导体层，随后去除所述掩蔽层；S4.在所述衬底的表面和所述沟槽内形成第一氧化层；S5.在所述第一氧化层的表面进行淀积，形成淀积层；S6.对所述衬底采用杂质注入，形成杂质注入区。本发明实现阻止body区域连成一片，有利于TrenchMOS器件的开启，简化了制作工艺
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117672852A
(43)申请公布日2024.03.08
(21)申请号202211016531.0
(22)申请日2022.08.24
(71)申请人上海贝岭股份有限公司
地址20
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