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本发明涉及硅负极技术领域，具体而言，涉及一种纯硅负极及其制备方法、全固态电池和用电设备。纯硅负极包括活性材料层，活性材料层主要由硅单质制成；硅单质的中值粒径D50为30～800nm。本发明通过优化硅单质的颗粒尺寸，使硅负极脱/嵌锂过程中体积膨胀/收缩造成的结构破坏被极大的缓解，保证了硅负极内部必要的载流子传输网络，由此缓解了纯硅负极固态电池的容量衰减速率，实现了稳定的长循环性能，并获得了高容量保持率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117673249A
(43)申请公布日2024.03.08
(21)申请号202311667859.3H01M10/0525(2010.01)
(22)申请日2023.1
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