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2024-03-09 发布于四川
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本发明提供了一种提高金刚石膜均匀性的MPCVD装置及方法，所述提高金刚石膜均匀性的MPCVD装置包括反应腔室、样品台和微波组件，反应腔室顶部中心设有进气口，底部侧面均匀开设有多个出气口；样品台在反应腔室内，与反应腔室底部中心连接；微波组件设在反应腔室一侧，与反应腔室连接并连通。本发明提供的提高金刚石膜均匀性的MPCVD方法，使用上述的提高金刚石膜均匀性的MPCVD装置进行生产。本发明提供的提高金刚石膜均匀性的MPCVD装置，在底部均匀开设有至少四个出气口，改变了气体流动方式，提高了腔室内气体流场

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117660920A

(43)申请公布日2024.03.08

(21)申请号202311669257.1

(22)申请日2023.12.06

(71)申请人中国电子科技集团公司第四十六研

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