一种单晶棒结晶界面形貌的分析方法、高质量单晶棒及其应用.pdfVIP

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2024-03-09 发布于四川
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一种单晶棒结晶界面形貌的分析方法、高质量单晶棒及其应用.pdf

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本发明提供一种单晶棒结晶界面形貌的分析方法、高质量单晶棒及其应用，所述分析方法包括以下步骤：(1)在单晶硅棒的头部取一晶圆，然后沿着所述晶圆直径的方向取一硅片；(2)将所述硅片沿着长度的方向分成多个等份，检测每一等份的电阻率，得到所述晶圆的纵向电阻分布图；(3)根据所述晶圆的纵向电阻分布图，判断所述单晶硅棒中固液结晶界面的形貌生长情况，从而对晶体的生长工艺进行调整。本发明提供分析方法是一种新的分析方法，可以通过不同的方式达到测量需求。并且易于推广，在半导体邻域广泛使用的的测试设备(SRP)上即可

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117665540A

(43)申请公布日2024.03.08

(21)申请号202311669028.X

(22)申请日2023.12.07

(71)申请人上海超硅半导体股份有限公司

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