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本发明属于半导体技术领域,公开了一种1T1T双共栅界面修饰神经形态器件及其制备方法,底栅;介电层,位于底栅的正上方;界面修饰层,位于于介电层的正上方;电荷捕获层,位于界面修饰层左边的正上方;沟道层,分别位于电荷捕获层的正上方和界面修饰层右边的正上方;源电极、漏电极,分别位于两个沟道层的正上方;左面器件的漏电极和右面器件的源电极相连。本发明利用门控器件的开关特性,极大的保证工作器件的稳定性,确保了工作器件电学性能稳定性并提高了器件的耐受性;采用底栅共接地方式,使工作器件和开关器件的电场方向都保持竖
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117677210A
(43)申请公布日2024.03.08
(21)申请号202311669815.4
(22)申请日2023.12.04
(71)申请人电子科技大学长三角研究院(湖州)
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