TCCGA 90004-2023 泛半导体用尾气处理设备分解移除效率的测试方法.pdfVIP

T/CCGA90004—2023

泛半导体用尾气处理设备分解

移除效率的测试方法

1范围

本文件规定了泛半导体用尾气处理设备分解移除效率的测试方法。

本文件适用于使用傅里叶变换红外光谱仪和便携式气体检测仪评估尾气处理设备的分解移除效率。其它

仪器可参考执行。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅

该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T8979纯氮、高纯氮和超纯氮

GB/T18867电子工业用气体六氟化硫

GB51401-2019电子工业废气处理工程设计标准

EPA430-R-10-003电子制造中氟化温室气体消除设备分解移除效率（DRE）的协议（Protocolfor

MeasuringDestructionorRemovalEfficiency(DRE)ofFluorinatedGreenhouseGasAbatement

EquipmentinElectronicsManufacturing）

3术语和定义

GB51401-2019界定的及以下术语和定义适用于本标准。

3.1

泛半导体pan-semiconductor

集成电路、液晶光电和太阳能板的统称。

3.2

尾气处理设备point-of-useabatement（POU）

安装在工艺生产设备附近，并对其排出的尾气进行处理的设备。主要包括燃烧水洗式、干式吸附式和等

离子体式三类。

3.3

分解移除效率destructionorremovalefficiency

评价工艺尾气是否达到预期处理效果的指标。

3.4

中央废气处理系统centralizedabatementsystem

位于废气系统的末端，在废气排入大气前对其所含的特定污染因子做最终的消减处理，并达到规定排放

浓度或标准的处理系统。

3.5

工艺尾气processoffgas

泛半导体制程工艺产生的废气。

1

T/CCGA90004—2023

3.6

全氟化合物perfluorinatedcompounds（PFCs）

泛半导体制程工艺使用的具有高全球变暖潜能（GWP）的氟化物，包括全氟化合物和氢氟碳化物（HFCs）。

3.7

挥发性有机物volatileorganiccompounds（VOCs）

沸点在50～250℃之间，温度298.15K时蒸汽压大于等于0.01kPa，或者能够以气态分子的形态排放到空

气中的所有有机化合物，但不包括甲烷。

3.8

特种废气specialcontaminatedwastegas

泛半导体制程中化学气相淀积、扩散、外延、离子注入、干法刻蚀等工艺设备散发的含有毒性、腐蚀性、

氧化性、自燃性、可燃性、惰性等物质的废气。分为烷类、全氟化合物和其它废气三种。

3.9

示踪气体tracergas

与工艺尾气混合后不发生变化且不影响尾气处理系统的性能，并在很低的浓度时就能被测出的

气体。

4试剂和材料

4.1工艺尾气

常见泛半导体的工艺尾气类型见表1。

表1泛半导体的工艺尾气类型

编号气体类型举例

1酸性废气SO、HS、Cl、HCl、NO、NO