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n型半导体元件、n型半导体元件的制造方法、无线通信装置和商品标签.pdfVIP

n型半导体元件、n型半导体元件的制造方法、无线通信装置和商品标签.pdf

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    本発明的课题是提以简便的工艺供具有高n型半导体特性且稳定性优异的n型半导体元件。本发明的n型半导体元件具备：基材、源电极、漏电极和栅电极、与所述源电极和漏电极这两者接触的半导体层、使所述半导体层与所述栅电极绝缘的栅绝缘层、以及在所述半导体层的与所述栅绝缘层相反一侧与所述半导体层接触的第2绝缘层，其特征在于，所述半导体层含有纳米碳，所述第2绝缘层满足下述A或B，A.含有化合物(a)和高分子(b)，所述化合物(a)具有至少1个通式(1)表示的基团和至少1个通式(2)表示的基团分别与1个碳‑碳双键或1

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN113646899A

    (43)申请公布日2021.11.12

    (21)申请号202080024545.X(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所

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