半导体物理学简明教程答案陈志明编第二章 半导体中的载流子及其输运性质 课后习题答案模板.docxVIP

半导体物理学简明教程 97

第二章半导体中的载流子及其输运性质

C1、对于导带底不在布里渊区中心，且电子等能面为旋转椭球面的各向异性问题，证明每个旋转椭球内所包含的动能小于（E－E）的状态数Z由式（2-20）给出。

C

证明：设导带底能量为E ，具有类似结构的半导体在导带底附近的电子等能面为旋转椭球

C

面，即

???2?k2?k2 k2?

?

?

与椭球标准方程

E(k)?E ?

C 2?

1 2? 3

?m m

?

t l

k2 k2 k2

1? 1? 2?1

a2 b2 c2

相比较，可知其电子等能面的三个半轴a、b、c分别为

ta?b?[2m

t

(E?E)1

]c 2

]

?2

lc?[2m

l

(E?E)1

]c 2

]

?2

于是，K空间能量为E的等能面所包围的体积即可表示为

4 4 1 3

V? ?abc? ?(8mm2)2(E?E)2

3 3?2 l t C

C因为k空间的量子态密度是V/(4?3)，所以动能小于（E－E）的状态数（球体内的状态数）就是

C

1 (8mm2)1/2

Z? V l t (E?E

)3/2

3?2 ?3 C

p2、利用式（2-26）证明当价带顶由轻、重空穴带简并而成时，其态密度由式（2-25）给出。证明：当价带顶由轻、重空穴带简并而成时，其态密度分别由各自的有效质量m 和m 表

p

p轻 重

示。价带顶附近的状态密度应为这两个能带的状态密度之和。即：

V (2m

)3/2

g (E) ???p轻 (E ?E)1/2

V 1 2?2 ?3 V

V (2m

)3/2

g (E) ???p重 (E ?E)1/2

V 2 2?2 ?3 V

98 第2章

价带顶附近的状态密度g

V

(E)?g

V

(E)

1

g (E)即：

V 2

V (2m

)3/2

V (2m

)3/2

g (E)???p轻 (E ?E)1/2+ p重 (E ?E)1/2

V 2?2 ?3 V 2?2 ?3 V

?V (E

?

V

?E)12

[(2m )32?（2m ）32]

2?2 ?2 P轻 p重

p只不过要将其中的有效质量m*理解为m*

p

p

?(m3/2

p轻

?m3/2)2/3则可得：

p重

(2m*)32

p

?[(2m

p轻

)32?（2m

p重

)3/2]带入上面式子可得：

V (2m*)3/2

g (E)???p (E

?E)1/2

V 2?2 ?3 V

3、完成本章从式（2-42）到（2-43）的推演，证明非简并半导体的空穴密度由式（2-43）决定。

解：非简并半导体的价带中空穴浓度p为

0

Vp ??E

V

0 E

V

(1?f

B

(E))g

V

(E)dE

带入玻尔兹曼分布函数和状态密度函数可得

1 (2m*)32

Vp ???p ?E

V

exp(

E?E

F)(E ?E)12dE

?0 2?2 3 E

?

V

KT V

0

令x?(E

V

E)(K

T),则

0

(E ?E)12?(K

V

T)12x12

0

d(E

V

E)?k

Tdx

0

将积分下限的E

V

（价带底）改为-∞，计算可得

m*kT E ?E

p ?2( p0 )32exp( V F)

?0 2? 2 KT

?

0

令

m*kT

(2?m*k

T)32

N ?2( p0 )32?2 p0

V 2??2 h3

则得

半导体物理学简明教程 99

P?N

0 V

exp(?

E ?E

F V)

kT

0

4、当E－E

=1.5kT、4kT、10kT时，分别用费米分布函数和玻耳兹曼分布函数计算电子占据

F

这些能级的几率，并分析计算结果说明了什么问题。

1f(E)?

1

f ?e?E?EF

解：已知费米分布函数

1?eE?EF

；玻耳兹曼分布函数 kT

kTB

kT

当E－EF=1.5kT时：f(E)?

1

1?e1.5

1

?0.1824，f

B

?e?1.5?0.223；

当 FE－E=4kT时：f(E)?

当 F

1?e4

1

?0.01799，f

B

?e?4

?0.0183；

当E－EF=10kT时：f(E)?

1?e1