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空穴传输层的制备方法、钙钛矿晶硅叠层太阳电池及制备方法.pdfVIP

空穴传输层的制备方法、钙钛矿晶硅叠层太阳电池及制备方法.pdf

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    本发明公开了空穴传输层的制备方法、钙钛矿晶硅叠层太阳电池及制备方法，涉及钙钛矿技术领域。先利用溶液法形成第一混合自组装单分子薄膜，然后利用蒸镀法形成第二混合自组装单分子薄膜，利用蒸镀法形成的第二混合自组装单分子薄膜可以有效地弥补第一混合自组装单分子薄膜形成过程中产生的缺陷，更好地保留了绒面金字塔塔尖位置的自组装单分子材料，能够有效解决现有制备方法成膜不均匀、厚度无法控制的问题，能够满足大面积批量化钙钛矿硅叠层太阳电池的生产。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117750855A

    (43)申请公布日2024.03.22

    (21)申请号202311770232.0H10K71/16(2023.01)

    (22)申请日2023.12.

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