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本发明提供了工艺腔室及薄膜沉积方法。所述工艺腔室包括加热盘、喷淋盖、抽气口、环型平台及升降装置。所述加热盘用于承载并加热待加工的晶圆。所述喷淋盖设于所述工艺腔室的上部，用于向所述加热盘上喷洒反应物。所述抽气口设于所述工艺腔室的下部，用于从所述工艺腔室抽出尾气。所述环型平台的外环平台包围所述加热盘的边缘。所述外环平台的第一高度大于所述加热盘边缘的第二高度。所述升降装置用于驱动所述环型平台升降，改变所述外环平台到所述喷淋盖的间距，以调节所述抽气口的抽气路径上的流体分布。本发明可以实现工艺高度与抽气路
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117758239A
(43)申请公布日2024.03.26
(21)申请号202311787981.4C23C16/52(2006.01)
(22)申请日2023.12.
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