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本发明提供了一种晶圆外延生长的工艺温度确定方法和晶圆处理方法，涉及半导体技术领域，包括：在反应腔室内处于至少一个测试温度下，通过公共传输单元将待检测晶圆转运至反应腔室内和/或将待检测晶圆从反应腔室内转运出；获取每一所述测试温度下，待检测晶圆经过转运后的品质检测结果；根据品质检测结果，确定通过公共传输单元将待检测晶圆转运至反应腔室时反应腔室内的目标温度和/或将待检测晶圆从反应腔室内转运出时反应腔室内的目标温度。在本发明方案确定的目标温度下，通过公共传输单元将转运至反应腔室内和/或通过公共传输单元将
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117790368A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202311820293.3C30B29/06(2006.01)
(22)申请日2023.12.
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