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本发明提供了一种5G陶瓷介质滤波器材料的制备方法，所述方法包括以下步骤：S1、对陶瓷基体表面进行进行喷砂或磨抛处理，随后将处理后的陶瓷基体浸入有机溶剂进行超声波清洗，将清洗后的陶瓷基体烘干；S2、通过高能脉冲离子注入法，采用第一金属靶，将第一金属离子注入步骤S1处理后的陶瓷基体表面上，形成过渡层；S3、通过磁过滤阴极真空弧沉积，采用第二金属靶，在步骤S2制备的过渡层上沉积第二金属，形成连接层；S4、通过多弧离子镀法，采用第三金属靶，在步骤S3制备的连接层上沉积第三金属，形成表面金属层，得到滤波器
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117776785A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202311820813.0H01P1/20(2006.01)
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