一种半导体功率器件及其制备方法.pdfVIP

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2024-03-30 发布于四川
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一种半导体功率器件及其制备方法.pdf

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本发明提供一种半导体功率器件及其制备方法，半导体功率器件包括：位于漂移层中间隔设置的若干主阱区；位于主阱区中的源区；主阱区的顶部区域中具有沟道区，沟道区与源区的侧壁邻接；位于相邻的主阱区之间的漂移层中的辅助阱区和JFET区，辅助阱区与主阱区间隔，JFET区与沟道区背离所述源区的侧壁接触，JFET区的导电类型和主阱区的导电类型相反；JFET区包括位于辅助阱区和主阱区之间的第一JFET区；第一JFET区具有相对的第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁与主阱区的侧壁接触，第二侧壁与辅助阱区的侧壁接触；第一侧壁和

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117790571A

(43)申请公布日2024.03.29

(21)申请号202311772118.1

(22)申请日2023.12.21

(71)申请人清纯半导体（宁波）有限公司

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