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本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。该太阳电池包括硅衬底、发射极、隧穿层、掺杂多晶硅层以及介电层。硅衬底具有相背设置的第一表面和第二表面，第一表面和第二表面中的其中一个是正面且另一个是背面。发射极设于第一表面。发射极在硅衬底的侧面具有第一绕镀层。隧穿层设于第二表面。掺杂多晶硅层设于隧穿层背离硅衬底的一面，掺杂多晶硅层和硅衬底的导电类型相同。掺杂多晶硅层在硅衬底的侧面具有第二绕镀层。介电层绕设在硅衬底的侧面以及发射极的侧面，以使第二绕镀层与第一绕镀层以及发射极隔
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117790589A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202311698950.1
(22)申请日2023.12.08
(71)申请人通威太阳能（彭山）有限公司
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