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本申请涉及一种测试芯片的封装方法,涉及半导体封装技术的领域,其包括提取第一集成电路晶圆并于第一集成电路晶圆的一侧覆盖第一介电层;于第一介电层的一侧溅射第一金属TiCu层;将第一掩模版上的图像进行光刻以在第一金属TiCu层上形成第一光刻层;于第一光刻层上电镀第一UBM金属层;依次去除第一光刻层和第一金属TiCu层,以露出成型为第一设计芯片图像和第一测试芯片图像的第一电镀金属层;于第一电镀金属层上形成第一凸点;将第一集成电路晶圆切割成单个第一芯片,本申请具有在封装过程中设计中心有特殊图像的测试芯片,
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117790341A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202311745136.0G01N3/24(2006.01)
(22)申请日2023.12.1
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