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第一章X射线物理学基础

一、X射线产生的主要装置和条件

主要装置：阳极靶材、阴极灯丝

条件：a.大量自由电子；b.定向高速运动；c.运动路径上遇到障碍(靶材)

二、短波限

一个电子在与阳极靶撞击时，把全部能量给予一个光子，这就是一个光量子所能获得的最大

能量，即：hc/λ=eU，此时光量子的波长即为短波限λSWL。

三、连续X射线(强度公式)

大量电子在与靶材碰撞的过程中，能量不断减小，光子所获得的能量也不断减小，形成了一

系列由短波限λSWL向长波方向发展的连续波谱。

连续谱强度1I=KiZU

连续谱强度1

四、特征X射线(莫塞莱定律)

当X射线管两端的电压增高到某一特定值U时，在连续谱的特定的波长位置上，会出现一

k

系列强度很高，波长范围很窄的线状光谱，它们的波长对一定材料的阳极靶材有严格恒定的数值，此波长可作为阳极靶材的标志或特征，所以称为特征谱或标识谱。

入2莫塞莱定律：1=K(ZG)

入2

I=Ki(U-U)m(Un为临界激发电压，原子序数Z越大，Un越大)

3n

1

五、X射线吸收(透射)公式——(质量吸收系数：单质、化合物(固溶体、混合物))

单质I=Iempt=Iemm

00

n化合物=w

n

mmii

i=1

六、光电效应、荧光辐射、俄歇效应

光电效应：当入射X射线光量子能量等于或略大于吸收体原子某壳层电子的结合能时，电子易获得能量从内层逸出，成为自由电子，称为光电子，这种光子击出电子的现象称为光电效应。

荧光辐射：因光电效应处于相应的激发态的原子，将随之发生如前所述的外层电子向内层跃迁的过程，同时辐射出特征X射线，称X射线激发产生的特征辐射为二次特征辐射，称这种光致发光的现象为荧光效应。

俄歇效应：原子K层电子被击出后，L层一个电子跃入K层填补空位，而另一个L层电子获得能量逸出原子成为俄歇电子，称这种一个K层空位被两个L层空位代替的过程为俄歇效应。光电效应——光电子荧光辐射——荧光X射线(二次X射线)俄歇效应——俄歇电子

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七、吸收限及其两个应用：滤波片的选择、靶材的选择

吸收限：欲激发原子产生K、L、M等线系的荧光辐射，入射X射线光量子的能量必须大于

或至少等于从原子中击出一个K、L、M层电子所需的能量WK、WL、WM，如，

WK=hvK=hc/入K，式中，vK、入K是产生K系荧光辐射时，入射X射线须具有的频率和波长的临界值。荧光辐射将导致入射X射线的大量吸收，故称入K、入L、入M等为被照射物质的吸收限。(理解)

滤波片的作用：强烈吸收K线，而对Ka线吸收很少。

滤波片选择原则：使其吸收限恰好位于特征谱的Ka和K波长之间，且尽可能靠近Ka线波长。一般滤波片比靶材的原子序数小1~2。

靶材的选择目的：对X射线尽可能少的吸收。

靶材的选择原则：入射线波长入略大于或远小于试样的入，即根据样品选择靶材的原则

TK

是：Z靶≤Z样+1或Z靶Z样

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八、相干散射

X射线在传播过程中，遇到一个电子，如果这个电子受原子核束缚较紧的话，光子的能力不

足以使电子电离。这个时候，电子就会在X射线交变电场作用下发生受迫振动。电子就成

为一个电磁波的发射源，向外发射散射射线。散射线的波长与入射X射线波长相同。

这是一个电子对X射线的散射情况。我们知道，一个原子核外有几个这样的电子，而晶

体是由大量的原子组成的。所以，当X射线照射到晶体上时，就会产生大量的散射线，这些

射线的波长相同，它们有可能相互干涉，在某些方向被加强