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一种屏蔽闸沟槽式功率金属氧化物半导体制备方法及器件.pdfVIP

一种屏蔽闸沟槽式功率金属氧化物半导体制备方法及器件.pdf

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    本发明公开了一种屏蔽闸沟槽式功率金属氧化物半导体制备方法及器件，具体步骤如下：S1：在外延层刻蚀出沟槽，在外延层表面以及沟槽内表面生长底部氧化层，随后在沟槽内沉积源极多晶硅并进行蚀刻；S2：将底部氧化层进行蚀刻，直至底部氧化层的表面与源极多晶硅的表面齐平；S3：在外延层表面、底部氧化层表面以及源极多晶硅表面沉积多晶硅；S4：对多晶硅进行蚀刻形成多晶硅侧壁残留层，并将侧壁位置处的多晶硅蚀刻掉形成残留多晶硅层；S5：在外延层表面以及沟槽内表面氧化形成闸极氧化层；S6：将多晶硅重新填入沟槽内，形成闸极

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117832093A

    (43)申请公布日2024.04.05

    (21)申请号202410239174.7

    (22)申请日2024.03.04

    (71)申请人江苏应能微电子股份有限公司

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