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本发明公开了一种线圈拓补结构，包括铁氧体基层、中心铜层和线圈导线；所述中心铜层环绕覆盖在所述铁氧体基层的中部表面上；所述线圈导线中至少部分线圈导线绕经所述中心铜层表面形成螺线管线圈，所述螺线管线圈与所述中心铜层组合形成螺线管；在铁氧体基层的其余表面上设置有封闭轮廓的引导线圈。该线圈拓补结构通过在螺线管两端的铁氧体基层上方和下方分别设置引导线圈，通过调节这些导向线圈的匝数比，以线圈拓补结构的整体磁通向上弯曲，以显着提高耦合系数和螺线管的场发射水平，一方面，可相应增加该线圈拓补结构的大磁通影响区域的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN111799071A
(43)申请公布日2020.10.20
(21)申请号202010563832.XB60L53/12(2019.01)
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