传感器原理与应用-3-力学传感器-2-压阻传感器.pptVIP

【说明】上式两边取对数再做微分即可下式。对于半导体而言，dρ/ρdl/l和ds/s，即dρ/ρ远远大于dl/l和ds/s两项，量级甚至能达到上百倍，自然需要研究主要矛盾，忽略dl/l和ds/s，而重点研究dρ/ρ。1.电阻应变式传感器可以分类成结构型传感器压阻式传感器可以分类为物性型传感器2.压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应【便于集成】，在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。其基片可直接作为测量传感元件，扩散电阻在基片内接成电桥形式。当基片受到外力作用而产生形变时，各电阻值将发生变化，电桥就会产生相应的不平衡输出。1.硅和锗都是IV族元素。通过缠着可以形成P型半导体和N型半导体。从而制造出以空穴或电子为多数载流子导电的本征半导体。2.硅本身具有钻石结构，当受到应力产生形变之后，晶体内部会产生畸变，而畸变会导致晶体内部能级机构发生变化，并进一步导致载流子相对能量发生变化，从而导致晶体固有电阻率发生变化。补充：金刚石的晶体结构中，每个碳原子与四个碳原子相互结合形成四个共价键，形成正四面体型结构，晶体中每个最小的环为六元环；感的是机械形变，表征的变量是应变ε传出去的是电阻的相对变化ΔR/R如果法线的大小和方向（即方向余弦）均已知，该平面是确定的。如果只知道方向而不知道大小，则该平面的方位是确定的。1.若电阻率的变化率Δρ/ρ用符号δ表示，则6个独立的电阻率变化率可写成δ1，δ2，δ3，δ4，δ5，δ62.电阻率的变化率与应力之间通过压阻系数π相联系，6个独立的电阻率的变化率与6个独立的应力分量之间的压阻系数关系符合矩阵方程。如果有剪切力的存在，会使得电流流向呈现涡流状态。3.2压阻式传感器传感器原理与应用第三章力学传感器【复习】电阻应变效应长度为l，截面积为S，电阻率为ρ的金属或半导体丝，其电阻为：当导体或半导体发生变化，将会引起电阻值相对变化量ΔR的变化。金属应变片压阻效应固体（尤其是半导体、陶瓷等）受到压力后，电阻率会发生显著的变化，这种现象称为压阻效应。压阻效应是微应变式传感器的基础效应。压阻效应的原理用作压阻式传感器的基片材料主要为硅片或锗片。晶体硅的结构应力结构产生畸变晶体内部能级变化载流子相对能量发生变化电阻率发生变化力学传感器（压阻）6个独立的应力分量σ电阻率的相对变化Δρ/ρ=δ？力上游应力材料力学研究范畴下游如何测量电阻的相对变化量？？晶向的表示方法单晶硅是各向异性材料，取向不同时特性也不一样。取向用晶向来表示。所谓晶向就是晶面的发现方向。晶向的表示方法有两种：一种是截距法、一种是法线法。截距法如图所示的晶面，用截距法可表示为：式中，r、s、t分别表示x、y、z轴的截距。法线法如图所示的晶面，用法线法可表示为：式中，p表示法线长度，cosα、cosβ、cosγ表示法线的方向余弦。进一步变形可得：密勒指数截面法和法线法用来表示同一个平面时乘上最小公倍数密勒指数没有公约数我国规定，hkl表示晶向，(hkl)表示晶面，{hkl}表示晶面族在压阻传感器设计中，有时需要判断两个晶向是否垂直，可将两晶向作为两个向量来看待。比如判断A(a1,a2,a3)、B(b1,b2,b3)两个晶面是否垂直？将这两个晶面看成两个向量，进行点乘运算，即：a1b1+a2b2+a3b3=0时，A⊥B压阻系数半导体材料（一般是单晶硅）上受到作用力时，微元素上受到的应力分量有9个。一个方向的旋转等同于一组剪切力剪切应力总是两两相等的。9个应力分量中只有6个是独立的。有应力存在就会产生电阻率的变化。6个独立的应力分量可在6个相应的方向产生独立的电阻率的变化。应力分量电阻率变化由于剪切应力不能产生正向压阻效应，故有正向应力不能产生剪切压阻效应，故有剪切应力只能在剪切应力平面内产生压阻效应，故此有由于单晶硅是正立方晶体，考虑到正立方晶体的对称性，有：正向压阻效应相等，横向压阻效应相等，剪切压阻效应相等，因此有【说明】上式两边取对数再做微分即可下式。对于半导体而言，dρ/ρdl/l和ds/s，即dρ/ρ远远大于dl/l和ds/s两项，量级甚至能达到上百倍，自然需要研究主要矛盾，忽略dl/l和ds/s，而重点研究dρ/ρ。1.电阻应变式传感器可以分类成结构型传感器压阻式传感器可以分类为物性型传感器2.压阻式传感器是根据半导体材