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IGBT的基本特性高级讲师：李彬国家级供用电技术专业教学资源库——电力电子技术
12静态特性动态特性国家级供用电技术专业教学资源库IGBT的基本特性
IGBT的静态特性主要有伏安特性、转移特性。静态特性国家级供用电技术专业教学资源库IGBT的基本特性
国家级供用电技术专业教学资源库伏安特性描述的是以栅射电压为参考变量时，集电极电流IC与集射极间电压UCE之间的关系。分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。当UCE0时，IGBT为反向阻断工作状态。在电力电子电路中，IGBT工作在开关状态，因而是在正向阻断区和饱和区之间来回转换。图2-1IGBT的基本特性
国家级供用电技术专业教学资源库转移特性描述的是集电极电流IC与栅射电压UGE之间的关系。开启电压UGE(th)是IGBT能实现电导调制而导通的最低栅射电压，随温度升高而略有下降。UGE(th)：栅极开启电压IC/UGE：反应栅极电压对集电极电流的控制能力图2-2IGBT的基本特性
动态特性又称开关特性，IGBT的开关特性分为两大部分：一是开关速度，主要指标是开关过程中各部分时间；另一个是开关过程中的损耗。动态特性国家级供用电技术专业教学资源库IGBT的基本特性
国家级供用电技术专业教学资源库IGBT的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT处于导通态时，由于它的PNP晶体管为宽基区晶体管，所以其B值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET的电流成为IGBT总电流的主要部分。此时，通态电压Uds(on)可用以下式表示：Uj1：JI结的正向电压，其值为0.7～1VUdr：扩展电阻Rdr上的压降Roh——沟道电阻Uds(on)=Uj1+Udr+IdRoh动态特性IGBT的基本特性
国家级供用电技术专业教学资源库通态电流Ids可用以下公式表示：Imos：流过MOSFET的电流。由于N+区存在电导调制效应，所以IGBT的通态压降小，耐压1000V的IGBT通态压降为2～3V。IGBT处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。Ids=(1+Bpnp)Imos动态特性IGBT的基本特性
国家级供用电技术专业教学资源库开通过程大部分时间是作为MOSFET来运行的，只是在漏源电压Uds下降过程后期，PNP晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td(on)为开通延迟时间，tri为电流上升时间。图2-7IGBT的开关过程IGBT的基本特性
国家级供用电技术专业教学资源库开通过程实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton即为td(on)，tri之和，漏源电压的下降时间由tfv1和tfv2组成。图2-7IGBT的开关过程ton=td(on）+tr+tfvIGBT的基本特性
国家级供用电技术专业教学资源库关断过程IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后，PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除，造成漏极电流较长的尾部时间。td(off)为关断延迟时间trv为电压Uds(f)的上升时间图2-7IGBT的开关过程IGBT的基本特性
国家级供用电技术专业教学资源库关断过程实际应用中常常给出的漏极电流的下降时间tfi由图中的tfi1和tfi2两段组成，而漏极电流的关断时间：式中：toff与trv之和又称为存储时间。图2-7IGBT的开关过程toff=td(off)+trv+tfiIGBT的基本特性
谢谢观看国家级供用电技术专业教学资源库
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