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IGBT的主要参数高级讲师:朱静国家级供用电技术专业教学资源库——电力电子技术

IGBT的主要参数IGBT的主要参数包括电压、电流、极间电容、栅极电荷量、热阻等参数,如饱和压降、栅极阈值电压、漏电流等。IGBT的主要参数国家级供用电技术专业教学资源库

国家级供用电技术专业教学资源库电压参数(1)集电极-发射极击穿电压UCES,是IGBT在截止状态下集电极-发射极之间能够承受的最高电压,UCES直接反映了IGBT的耐压能力(一般UCES小于或等于器件的雪崩击穿电压)。(2)集电极-发射极饱和电压UCE,是IGBT在饱和导通状态下,集电极与发射极之间的电压降。该值越小,则管子的功率损耗越小。(3)栅极-发射极额定电压UGES。UGES为栅极-发射极之间所能承受的最高电压。IGBT是电压控制型器件,依靠栅极电压UGES来控制管子的导通与关断,由于栅极的绝缘层比较薄,容易被电压击穿,因此,一般限制UGES为±20V。IGBT的主要参数

国家级供用电技术专业教学资源库(4)栅极-发射极击穿电压UGEM,是IGBT栅极-发射极之间能承受的最高电压,其值一般为±20V。(5)发射极-集电极击穿电压UECS。UECS为发射极-集电极之间所能承受的最高电压。IGBT的发射极-集电极之间的耐压能力(或称集电极-发射极之间的反向耐压能力)很低,UECS通常仅为十几伏。因此,在电路中通常要在集电极-发射极之间反向并联保护二极管。电压参数IGBT的主要参数

国家级供用电技术专业教学资源库(1)集电极通态电流IC,是IGBT在饱和导通状态下,集电极允许通过的最大电流的有效值称为IGBT的额定电流,用ICE表示;而允许通过的峰值电流用ICM表示。当IGBT?工作于连续电流条件下时,ICM即表示IGBT集电极允许流过的最大连续电流;当IGBT工作于脉冲电流条件下时,ICM即表示IGBT集电极允许流过的最大脉冲电流。ICM也称为IGBT的电流额定值。电流参数IGBT的主要参数

国家级供用电技术专业教学资源库(2)栅极漏电流IGEO,当UCE=0V,栅极-发射极电压为额定值UGER时,IGBT栅极-发射极间的电流。(3)集电极断态电流ICES,当栅极-发射极电压为额定值UGER,栅极-发射极电压UGE=0时的集电极电流,即集电极漏电流。电流参数IGBT的主要参数

国家级供用电技术专业教学资源库(1)集电极最大功耗PCM,是IGBT集电极允许的最大功耗。(2)栅极电容C,是IGBT栅极-发射极间的输入电容,一般为3000-30000pF。(3)热阻Rθ,单位功耗引起IGBT管芯的温升。(4)最高允许结温TjM,是IGBT所允许的最高结温。TjM与IGBT的封装形式有关。对于塑封单管IGBT,TjM=125℃;对于模块化封装的IGBT,TjM=150℃。其他参数IGBT的主要参数

国家级供用电技术专业教学资源库(5)电流上升时间tir,在导通过程中,从栅极—发射极电压达到开启电压UGE(th)起,到集电极电流达到ICM所需的时间。

(6)电压下降时间tuf,在导通过程中,从IGBT的集电极-发射极间电压开始下降起,到集电极-发射极电压达到饱和电压UCE(sat)所需的时间。

(7)导通时间ton(ton=td+tir+tuf)。(8)存储时间ts,在关断过程中,从IGBT的栅极-发射极开始下降起,到栅极-发射极电压下降到UGE=UGE(th),集电极电流开始下降所需的时间。其他参数IGBT的主要参数

国家级供用电技术专业教学资源库(9)电压上升时间tur,在关断过程中,从IGBT的集电极电流开始下降起,到因di/dt的作用产生电压过冲所需的时间。(10)电流下降时间tif,在关断过程中,从IGBT的集电极-发射极间产生电压过冲起,到集电极电流下降到集电极-发射极漏电流所需的时间。

(11)关断时间toff(toff=ts+tur+tif)。(12)du/dt,IGBT不产生误导通,集电极—发射极问所能承受的最大的电压上升率。其他参数IGBT的主要参数

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