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PLD法制备BST铁电薄膜及其性质的研究的开题报告

题目:PLD法制备BST铁电薄膜及其性质的研究

摘要:针对高频电子元器件中铁电材料的需求,本文将研究使用脉冲激光沉积(PLD)技术制备铁电材料BariumStrontiumTitanate(BST)薄膜,并对其电学及结构性质进行研究。具体而言,我们将探究PLD在制备BST铁电薄膜过程中的优点和缺陷,并分析不同掺杂比例的BST铁电薄膜的铁电性能和微观结构。该研究将为高频微波电子器件的发展提供重要的材料基础研究。

关键词:PLD,BST铁电薄膜,电学性质,结构性质

一、研究背景

随着通信技术的快速发展,高频微波电子器件的需求也越来越大。然而,传统的硅基电子元器件在高频微波场下存在一定的限制,因此需要寻求新的材料作为高频微波电子器件的基础材料。

铁电材料是一类具有高电介质常数和良好微波介电性能的材料,因此被广泛用于高频微波电子器件中。BariumStrontiumTitanate(BST)是一种重要的铁电材料,其具有良好的铁电性能、微波介电性能和电光性能,已经被广泛应用于射频微波器件、超声探伤器、压电声学器件等领域。

然而,目前BST铁电材料的制备还存在一定的问题,传统的物理气相沉积(PVD)制备方式存在材料热解不完全、沉积速度缓慢等问题,影响了材料的质量和性能。针对这一问题,脉冲激光沉积(PLD)被提出,并被广泛应用于铁电材料的制备。

二、研究目的和意义

针对高频微波电子器件中铁电材料的需求,本文将研究使用PLD技术制备铁电材料BariumStrontiumTitanate(BST)薄膜,并对其电学及结构性质进行研究。具体而言,我们将探究PLD在制备BST铁电薄膜过程中的优点和缺陷,并分析不同掺杂比例的BST铁电薄膜的铁电性能和微观结构。

该研究的意义在于,对于高频微波电子器件的发展,提供了重要的材料基础研究。同时,该研究对于促进PLD技术在铁电材料制备中的应用,也具有一定的参考价值。

三、研究内容

(1)PLD技术制备BST铁电薄膜的研究

通过对PLD技术的了解,研究如何使用PLD技术制备BST铁电薄膜。主要包括材料的准备、沉积过程中各项参数的设置、薄膜生长的过程等。

(2)不同掺杂比例BST铁电薄膜的电学性质研究

利用扫描电镜、X射线衍射仪、电学性能测试系统等方法,对不同掺杂比例的BST铁电薄膜的电学性能进行分析研究,包括比电容、介电常数、铁电畴的极化特性等。

(3)不同掺杂比例BST铁电薄膜的结构性质研究

使用扫描电镜、X射线衍射仪等技术,分析不同掺杂比例的BST铁电薄膜的微观结构,包括晶体结构、晶粒尺寸等。

四、研究方法

(1)材料准备

准备所需的BST材料,并使用化学方法制备目标组分的BST陶瓷粉体,然后将其压制成片状样品。

(2)PLD制备BST铁电薄膜

将BST陶瓷片放置在真空室中,并通过PLD技术沉积薄膜,控制沉积速率、气氛、温度和气压等参数,获得具有不同掺杂比例的BST铁电薄膜。

(3)电学性质测试

使用电学性能测试系统对不同掺杂比例的BST铁电薄膜的比电容、介电常数、铁电畴的极化特性等进行测试。

(4)结构性质测试

采用扫描电镜、X射线衍射仪等技术,分析不同掺杂比例的BST铁电薄膜的晶体结构、晶粒尺寸等微观结构。

五、预期成果

预计探索出PLD技术制备BST铁电薄膜的最优参数,并分析不同掺杂比例的BST铁电薄膜的电学及结构性质。希望可以为高频微波电子器件的发展提供重要的材料基础研究。

参考文献:

[1]LiuHuanjun,FengZhenyu,WangJianguo,etal.DesignofBaSrTiO3thin-filmstructureformicrowavetunabledevices[J].JournalofMaterialsScience:MaterialsinElectronics,2018,29(19):16603-16609.

[2]LiMing,LiuHao,XuHui,etal.GrowthandpropertiesofSm-dopedBa0.6Sr0.4TiO3thinfilmsonSisubstratesbypulsedlaserdeposition[J].JournalofMaterialsScience:MaterialsinElectronics,2016,27(6):5951-5956.

[3]LiuHuanjun,FengZhenyu,WangJianguo,etal.EffectsofdepositionpressureonthepropertiesofBa

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