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2024-04-13 发布于四川
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利用ICP刻蚀二氧化硅的方法.pdf

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本申请提供一种利用ICP刻蚀二氧化硅的方法。该方法包括：向抽真空后的反应腔内通入第一刻蚀气体、第二刻蚀气体和掺杂气体，控制刻蚀压力达到1~20mTorr后，开启并控制ICP功率为500~2500w，偏压功率为30~500w，对二氧化硅进行刻蚀，所述第一刻蚀气体为含氟化合物，所述含氟化合物中氟的分子量大于3，所述第二刻蚀气体为含有氟和碳的化合物，氟与碳的分子量之比小于3，所述第一刻蚀气体、第二刻蚀气体和掺杂气体三者的体积流量之比为1：（2~4）：（5~10）。该方案可以刻蚀出陡直且光滑的二氧化硅侧

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117877976A

(43)申请公布日2024.04.12

(21)申请号202311302591.3

(22)申请日2023.10.09

(30)优先权数据

10-2022-0129820

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