实际晶体中的位错.pptxVIP

实际晶体中的位错实际上晶体中的位错决定于晶体结构及能量条件两个因素。在此特别讨论面心立方晶体中的位错。(1)实际晶体结构中的单位位错——全位错柏氏矢量为沿着滑移方向的原子间距的整数倍的位错称为全位错。若沿着滑移方向连接相邻原子的矢量为s，则全位错的柏氏矢量b=ns，n为正整数。当n=1时，这样的全位错的能量最低，此时位错称为单位位错，也称为完整位错。密排六方结构：b为a/31120单位位错的柏氏矢量一定平行于各自晶体的最密排方向。面心立方结构：b为a/2110，体心立方结构：b为a/2111纸面为滑移面(111)，左侧为未滑移区，右侧为已滑移区，均属正常堆垛，在已滑移区和未滑移区的交界处存在一个单位位错。当位错线在滑移面扫过之后，滑移面上下的原子排列整齐如旧。单位位错滑移时，不破坏滑移面上下原子排列的完整性，因此单位位错又称为完整位错。FCC中全位错滑移时原子的滑动路径B层原子的滑动分两步：B→C→BFCC晶体的全位错的柏氏矢量应为b=a/2110，简写成b=1/2110。全位错的滑移面是{111}，刃型位错的攀移面（垂直于滑移面和滑移方向的平面）是{110}。如图中FCC晶体的滑移面为(111)晶面，柏氏矢量方向为[110]晶向，b=1/2[110]；半原子面(攀移面)为(110)晶面，其堆垛次序为ababab…[112]将滑移面(111)水平放置，攀移面(110)则为垂直位置，FCC中刃型全位错如图所示。由于形成位错时不能改变FCC的晶体结构，故在a层和b层之间必须插入b、a两层半原子面才能形成全位错。对于多层(111)面按ABCABC…顺序堆垛而成的FCC晶体，B层原子滑移到C位置时就形成了一层层错，增加了晶体的层错能。由几个位错合成一个新位错或由一个位错分解为几个新位错的过程称为位错反应。单位位错滑移时，不破坏滑移面上下原子排列的完整性，因此单位位错又称为完整位错。面心立方结构：b为a/2110，其滑移面为(001),b=a/6[110]。在层错能低的材料如奥氏体不锈钢或α黄铜中，可能形成大量的层错。如(a)图，从无层错区{111}面中抽出部分{111}面，堆垛次序由ABCABCABC…变为ABCABABC…，从而产生了局部层错，其层错区与正常堆垛区交界就是Frank位错。由几个位错合成一个新位错或由一个位错分解为几个新位错的过程称为位错反应。B层原子的滑动分两步：B→C→B在面心立方晶体的(111)和(111)面上各有一个柏氏矢量为b1=a/2[101]和b2=a/2[011]的全位错，且这两条位错线平行于两滑移面的交线AD。●不对应的罗-希向量全位错的滑移面是{111}，刃型位错的攀移面（垂直于滑移面和滑移方向的平面）是{110}。这些向量可以由三角形重心性质求得，例如：所有希－希向量也都可以根据向量合成规则求得：将滑移面(111)水平放置，攀移面(110)则为垂直位置，FCC中刃型全位错如图所示。如果层错能较小，则B层原子会停留亚稳的C位置；Thompson汤普森四面体(3)组成扩展位错的两个肖克莱不全位错由于交互作用必然处于相互平行的位置，其间的距离d即层错区的宽度，其值保持不变。由四面体顶点A、B、C、D(罗马字母)连成的向量：例如：FCC的全位错分解为Shockley分位错：b?b1+b2FCC中全位错滑移时原子的滑动路径在层错能高的材料如铝中，则其中看不到层错；如果层错能较小，则B层原子会停留亚稳的C位置；单位位错的柏氏矢量一定平行于各自晶体的最密排方向。不再是已滑移区和未滑移区的边界，而且是有层错区和无层错区的边界。在密排面上，将上下部分晶体作适当的相对滑移，或在正常的堆垛顺序中抽出一层或插入一层均可形成层错。如(a)图，从无层错区{111}面中抽出部分{111}面，堆垛次序由ABCABCABC…变为ABCABABC…，从而产生了局部层错，其层错区与正常堆垛区交界就是Frank位错。洛末-柯垂耳(Lomer-Cottrell)位错的形成柏氏矢量为沿着滑移方向的原子间距的整数倍的位错称为全位错。不对应的罗-希向量就是FCC中Shockley分位错的柏氏矢量：(2)不全位错在实际晶体中，存在的柏氏矢量小于最短平移矢量(即最近邻的两个原子间距)的位错叫部分位错。柏氏矢量不等于最短平移矢量的整数倍的位错叫不全位错。不全位错沿滑移面扫过之后，滑移面上下层原子不再占有平常的位置，产生了错排，形成了堆垛层错(Stackingfault)。在密排面上，将上下部分晶体作适当的相对滑移，或在正常的堆垛顺序中抽出一层或插入一层均可形成层错。层错破坏了晶体中正常的周期性，使电子发生额外的散射，从而使能量增加，但是层错不产生点阵畸变，因此层错能比晶界能低得多。金属中出现层错的几率与层错