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IGBT得工作原理与工作特性

IGBT得开关作用就是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP晶体管提供基极电流,使IGBT导通、反之,加反向门极电压消除沟道,流过反向基极电流,使IGBT关断、IGBT得驱动方法与MOSFET基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET得沟道形成后,从P+基极注入到N一层得空穴(少子),对N一层进行电导调制,减小N一层得电阻,使IGBT在高电压时,也具有低得通态电压。IGBT得工作特性包括静态与动态两类:1。静态特性IGBT得静态特性主要有伏安特性、转移特性与开关特性、IGBT得伏安特性就是指以栅源电压Ugs为参变量时,漏极电流与栅极电压之间得关系曲线、输出漏极电流比受栅源电压Ugs得控制,Ugs越高,Id越大。它与GTR得输出特性相似。也可分为饱与区1、放大区2与击穿特性3部份。在截止状态下得IGBT,正向电压由J2结承担,反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区,则正反向阻断电压可以做到同样水平,加入N+缓冲区后,反向关断电压只能达到几十伏水平,因此限制了

IGBT得某些应用范围。IGBT得转移特性就是指输出漏极电流Id与栅源电压Ugs之间得关系曲线、它与MO

SFET得转移特性相同,当栅源电压小于开启电压Ugs(th)时,IGBT处于关断状态、在IGBT导通后得大部份漏极电流范围内,Id与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制,其最佳值普通取为15V摆布、IGBT得开关特性就是指漏极电流与漏源电压之间得关系。IGBT处于导通态时,由于它得PNP晶体管为宽基区晶体管,所以其B值极低。尽管等

效电路为达林顿结构,但流过MOSFET得电流成为IGBT总电流得主要部份。此时,通态电压Uds(on)可用下式表示:Uds(on)=Uj1+Udr＋IdRoh(2—14)

式中Uj1—-JI结得正向电压,其值为0.7~IV;Udr——

扩展电阻Rdr上得压降;Roh——沟道电阻。通态电流Ids可用下式表示:Ids=(1＋Bpnp)Imo

s(2-15)式中Imos——流过MOSFET得电流、

由于N+区存在电导调制效应,所以IGBT得通态压降小,耐压1000V得IGBT通态压降为2~3V。IGBT处于断态时,惟独很小得泄漏电流存在、

2.动态特性

IGBT在开通过程中,大部份时间就是作为MOSFET来运行得,只就是在漏源电压Uds下降过程后期,PNP晶体管由放大区

至饱与,又增加了一段延迟时间、td(on)为开通延迟时间,tri为电流上升时间。实际应用中常给出得漏极电流开通时间ton即为td(on)tri之与。漏源电压得下降时间由tfe1与tfe2组成,如图2－58所示

IGBT在关断过程中,漏极电流得波形变为两段、因为MOSFET关断后,PNP晶体管得存储电荷难以迅速消除,造成漏极电流较长得尾部时间,td(off)为关断延迟时间,trv为电压Uds(f)得上升时间、实际应用中往往给出得漏极电流得下降时间Tf由图2-59中得t(f1)与t(f2)两段组成,而漏极电流得关断时间t(off)=td(off)＋

trv+t(f)(2－16)式中,td(off)

与trv之与又称为存储时间。

IGBT得基本结构

绝缘栅双极晶体管(IGBT)本质上就是一个场效应晶体管,只就是在漏极与漏区之间多了一个P型层。根据国际电工委员会得文件建议,其各部份名称基本沿用场效应晶体管得相应命名。

图1所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构,N＋区称为源区,附于其上得电极称为源极、N+区称为漏区。器件得控制区为栅区,附于其上得电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间得P型区(包括P+与P一区)(沟道在该区域形成),称

为亚沟道