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InGaN基LED生长及发光效率提升研究的开题报告

题目：InGaN基LED生长及发光效率提升研究

一、研究背景

LED（LightEmittingDiode）是一种新型的光源，具有高效、长寿命、环保等优点，是替代传统照明光源的重要选择。而InGaN（IndiumGalliumNitride）材料是LED制造中重要的半导体材料之一，可以发出蓝色至绿色的光。随着对LED性能要求的不断提高，InGaN基LED的生长及发光效率的研究变得愈发重要。

二、研究目的

本研究旨在探究InGaN基LED的生长技术和发光效率提升方法，为提高LED的性能做出贡献。

三、研究内容

（1）InGaN基LED生长技术：探究MOCVD、MBE等技术的优缺点，建立适合InGaN基LED生长的技术体系；

（2）InGaN基LED材料表面提纯：研究适合InGaN基LED材料表面提纯的方法，减小缺陷密度；

（3）InGaN基LED结构优化：优化InGaN基LED结构，减少晶格失配等问题，提高InGaN基LED的发光效率。

四、研究方法

对比MOCVD、MBE等生长技术的优缺点，选取合适的技术进行InGaN基LED的生长；利用氢氟酸、氨溶液等方法对InGaN基LED表面进行提纯；通过优化InGaN基LED的结构，例如加入InGaN/GaN多重量子阱等方式，提高其发光效率。

五、预期成果

（1）建立适合InGaN基LED生长的技术体系；

（2）探究实用化的InGaN基LED材料表面提纯方法；

（3）通过InGaN基LED结构优化方法提高发光效率；

（4）提高InGaN基LED的光电转换效率，具有重要的应用价值。