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Si基分子束外延HgCdTeCdTe评价与表征研究的开题报告

标题：Si基分子束外延HgCdTe/CdTe评价与表征研究

摘要：本文介绍了一项旨在评价和表征Si基分子束外延HgCdTe/CdTe结构的研究。该研究利用了扫描电子显微镜、X射线衍射仪、Raman光谱仪等多种分析技术对该结构进行了表征，并使用Laser微光致发光测试系统对该结构中的缺陷进行了评价。研究结果表明，该结构在表面质量和晶体质量方面都具有优异的性能。该研究对于进一步开发高性能的红外探测器具有重要意义。

关键词：分子束外延，HgCdTe，表征，评价，微光致发光

一、研究背景

近年来，红外技术的快速发展使得红外探测器成为新一代光学探测器中的重要一环。其中，HgCdTe在红外探测器领域中被广泛应用，其性能也被认为是最优越的。但是，传统的HgCdTe晶体材料制备技术存在诸多问题，比如成本高、稳定性差以及生产效率低等。因此，寻求新的制备方法成为了该领域的重点研究方向之一。

分子束外延技术作为一种新兴的合成方法，近年来被广泛应用于半导体、太阳能电池以及红外探测器等领域。该技术在制备高性能HgCdTe探测器方面具有独特优势，但相应的研究还比较有限。

因此，本研究旨在评价和表征一种新的Si基分子束外延HgCdTe/CdTe结构，为进一步开发高性能的红外探测器提供理论依据和实用技术。

二、研究内容

1.实验材料

本研究所使用的材料为Si基衬底、CdTe中间层和HgCdTe外延层。

2.实验方法

2.1表征方法

扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）以及Raman光谱仪等多种表征方法被用于对样品进行表征。

2.2评价方法

使用Laser微光致发光测试系统对样品中的缺陷进行评价。

3.预期结果

通过表征和评价实验，本研究预期得到以下结果：

3.1表面和晶体质量优异：通过SEM和XRD等表征方法，探测样品表面和晶体质量的优越性能。

3.2缺陷评价：使用Laser微光致发光测试系统对样品缺陷进行评价，从而进一步确定样品的探测性能和应用前景。

4.研究意义

本研究对于进一步探索、研究和开发高性能的红外探测器具有重要意义，具有一定的科学研究价值和实用价值。同时，该研究也有助于掌握分子束外延技术的相关知识和技能。