磁电子学器件应用原理近代物理实验 (62).doc

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仪器使用说明

TEACHERSGUIDEBOOK

FD-MRS-A

磁电阻与巨磁电阻效应综合实验仪

FD-MRS-A型磁电阻与巨磁电阻效应综合实验仪

一、概述

2007年10月，法国科学家阿尔贝.费尔和德国科学家彼得.格林贝格尔因分别独立发现了巨磁电阻效应而共同获得了2007年诺贝尔物理学奖。由磁场引起材料电阻变化的现象称为磁电阻效应。目前发现的磁电阻效应有：正常磁电阻效应（OMR）、各向异性磁电阻效应（AMR）、巨磁电阻效应（GMR）、庞磁电阻效应（CMR）及隧穿磁电阻效应（TMR）等。

磁电阻传感器可广泛的应用于家用电器、汽车工业和自动控制技术中，对角度、转速、加速度、位移等物理量进行测量和控制。特别是巨磁电阻材料在数据读出磁头、磁随机存储器上有广泛的应用前景。

本仪器提供三种磁电阻传感器，分别为多层膜巨磁电阻传感器、自旋阀巨磁电阻传感器、各向异性磁电阻传感器。帮助学生了解不同磁电阻效应的原理及应用，仪器安全可靠，实验内容丰富。可用于高校、中专的基础物理实验、近代物理实验及综合性设计性物理实验。

二、仪器简介

三、技术指标

1．多层膜巨磁电阻传感器线性范围0.15mT－1.05mT

饱和场强1.5mT

灵敏度30.0mV/V/mT－42.0mV/V/mT

巨磁电阻阻值5.0KΩ±1.0KΩ

配备精确电阻1.20KΩ

自旋阀巨磁电阻传感器线性范围-0.81mT－0.87mT

灵敏度13.0mV/V/mT－16.0mV/V/mT

巨磁电阻阻值1.3KΩ±0.26KΩ

配备精确电阻360Ω

各向异性磁电阻传感器线性范围-0.6mT－0.6mT

灵敏度8.0mV/V/mT－12.0mV/V/mT

磁电阻阻值1KΩ±0.2KΩ

配备精确电阻270Ω

2．传感器电源5V

3．亥姆霍兹线圈单只线圈匝数N=200匝，半径10cm

4．亥姆霍兹线圈用恒流源输出电流0－1.2A连续可调

5．测量用恒流源输出电流0－5A连续可调

四、实验项目

1．了解不同磁电阻效应原理，测量不同磁场下三种材料磁电阻阻值，作关系图，求

电阻相对变化率的最大值；

2.学习磁电阻传感器定标方法，计算三种磁电阻传感器灵敏度；

3．测量三种磁电阻传感器输出电压与通电导线电流的关系；

4．作自旋阀巨磁电阻传感器磁滞回线。

五、注意事项

1．实验中，需注意地磁场对实验产生的影响；

2．使用磁性传感器时，应尽量避免铁质材料和可以产生磁性的材料在传感器附近出现；

3．仪器上的恒流源不用时应归零，以提高使用寿命；

4．需先关掉主机电源，再调换传感器，注意传感器插针位置，不要损坏传感器接插件。

5．各向异性磁电阻传感器遇到较强磁场时，其灵敏度会降低，需要按机箱面板上的红色复位键使其恢复原来的灵敏度，另外两种传感器不需要此类操作。

磁电阻效应实验

【实验目的】

1．了解不同磁电阻效应原理，测量不同磁场下三种材料磁电阻阻值，作关系图，求

电阻相对变化率的最大值；

2.学习磁电阻传感器定标方法，计算三种磁电阻传感器灵敏度；

3．测量三种磁电阻传感器输出电压与通电导线电流的关系；

4．作自旋阀巨磁电阻传感器磁滞回线。

【实验原理】

多层膜巨磁电阻效应

早在1856年，英国物理学家W.汤姆孙就发现了磁电阻效应。通常以电阻率的相对变化率来表示磁电阻的大小，，其中和分别为磁场强度为和零时的电阻率。也可以用来表示，其中和分别为磁感应强度为和零时的电阻。目前发现的磁电阻效应有：正常磁电阻效应（OMR）、各向异性磁电阻效应（AMR）、巨磁电阻效应（GMR）、庞磁电阻效应（CMR）及隧穿磁电阻效应（TMR）等。

1988年法国巴黎大学阿尔贝.费尔教授和德国优利西研究所的彼得.格林贝格尔教授分别独立发现了巨磁电阻效应，因而共同获得了2007年诺贝尔物理学奖。巨磁电阻材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时大幅度减小，比各向异性磁电阻效应高一到两个数量级。磁场的微弱变化将导致巨磁电阻材料电阻值产生明显改变，从而能够用来探测微弱信号。一般材料的值都很小，通常小于1%；各向异性磁电阻材料（例如坡莫合