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GaN基发光二极管结构设计对改善内量子效率下降的研究的开题报告

摘要：

随着半导体照明技术的发展，GaN基发光二极管（LED）作为一种新型的照明源得到广泛应用。然而，内量子效率下降是影响GaN基LED性能和寿命的重要因素之一。本文旨在研究GaN基LED结构设计对改善内量子效率下降的影响，以提高LED的性能和寿命。

首先，将对GaN基LED内量子效率下降的原因进行分析，包括晶格不匹配、缺陷密度、量子阱设计等因素。其次，将介绍一些常用的结构设计方法，包括引入衬底模板、应力调节层、异质结构掺杂等。这些方法可以降低缺陷密度、改善晶格匹配和阻止杂质扩散，从而提高内量子效率。

本文的研究方法将采用仿真计算和实验验证相结合的方法。首先，利用数值模拟软件进行结构设计和性能分析。然后，根据仿真结果制备样品，进行电性能、光学性能和寿命测试，验证结构设计对改善内量子效率下降的影响。

本研究的结果将有助于深入了解GaN基LED内量子效率下降的原因，提高LED的效率和寿命，促进GaN基LED技术的发展。

关键词：GaN基LED；内量子效率下降；结构设计；性能提升；寿命延长。

Abstract:

Withthedevelopmentofsemiconductorlightingtechnology,GaN-basedlight-emittingdiodes(LEDs)havebeenwidelyusedasanewtypeoflightingsource.However,thedecreaseofinternalquantumefficiencyisoneoftheimportantfactorsaffectingtheperformanceandlifespanofGaN-basedLEDs.ThispaperaimstostudytheeffectofLEDstructuraldesignonimprovingthedecreaseofinternalquantumefficiencyinordertoimprovetheperformanceandlifespanofLEDs.

First,thereasonsforthedecreaseofinternalquantumefficiencyinGaN-basedLEDswillbeanalyzed,includinglatticemismatch,defectdensity,andquantumwelldesignfactors.Secondly,somecommonstructuraldesignmethodswillbeintroduced,includingtheintroductionofsubstratetemplates,stressadjustmentlayers,andheterojunctiondoping.Thesemethodscanreducedefectdensity,improvelatticematching,andpreventimpuritydiffusion,therebyimprovinginternalquantumefficiency.

Theresearchmethodofthispaperwilluseacombinationofsimulationcalculationandexperimentalverification.First,numericalsimulationsoftwarewillbeusedforstructuraldesignandperformanceanalysis.Then,accordingtothesimulationresults,sampleswillbepreparedforelectricalperformance,opticalperformance,andlifespantestingtoverifytheeffectofstructuraldesignonimprovingthedecreaseofinternalquantumefficiency.

Theresultsofthisstudywillhelptodeepentheunderstandingofthereasonsforthe