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X射线荧光光谱分析-复习题及解答

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•X射线荧光光谱是连续谱还是特征谱?如何产生?为什么能用它来

进行元素的定性和定量分析？

答：X射线荧光光谱是特征谱。

它是当原子内电子层出现电子空位，外层电子跃迁填充时

所发射出来的X射线，故又称二次X射线…

由于各元素原子的能级差是不一样的，而同种元素原子的

能级差是一样的，对于同一元素的原子发射出来的X射线的波长

或能量是固定的；因此当样品中元素的原子受到高能X射线照射

时,即发射出具有一定特征的X射线谱,特征谱线的波长只与元

素的原子序数(Z)有关；谱线的强度和元素含量的多少有关,所

以测定特征谱线的波长,就可知道试样中包含什么元素,测定

特征谱线的强度,就可知道该元素的含量。

•莫塞莱定律及其意义：特征X射线的波长(或能量)与原子序数

（Z）有关，并且随着元素的原子序数的增加，特征X射线有规

律地向波长变短方向移动，即元素的X射线特征波长倒数的平

方根与原子序数成正比，用公式表示为λ-1/2=a(Z-b)(a，

b为常数，不同的谱系用不同的值)。

莫塞莱定律的意义在于揭示了特征X射线波长与元素的原

子序数的确定关系，它奠定了X射线光谱定性分析的基础。

•布拉格衍射公式及应用：2dsinθ=nλ

布拉格衍射公式的应用在X射线衍射分析中，已知：λ，测量：

θ，求：2d，用于物质的结构分析；

在X射线荧光分析中，已知：2d，测量：θ，求：λ，用于物

质的成分分析。

•荧光产额：原于内电子层q出现一个电子空位后，产生相应的

q系X射线荧光的几率，叫做荧光产额。Wq=Nq/N，(N为q层电子

空位数，Nq为产生q系谱线的光子数)。

•吸收限：在μ～λ曲线上显示出一些突然不连续处，这些突

然的不连续处称为吸收限。

•吸收突变：在μ～λ曲线上不连续处，较大的吸收系数与较

小的吸收系数之比，称为吸收突变r。

•吸收突变系数：在某一特定波长处的某一具体能级相关的吸收

份数与总吸收之比称为吸收突变系数J。

K系：通式:q系

•质量吸收系数：式

中的比例系数μ称为密度为ρ材料对波长为λX射线的质量吸收

系数。式中I、I为材料吸收前、后的波长为的X射线强度，t为

0

材料的厚度。

•基体：样品中除了被测元素外的其他成分，称为基体。

•基体效应：基体对分析元素的影响称为基体效应。有两类基

体效应：一类为样品的化学组成引起的效应，即吸收—增强效

应；一类为样品的物理特性引起的效应，如表面光滑度、颗粒

度、材料的不均匀性等。

•怎样校正基体效应的影响：

答：实验校正法…，数学校正法…及制样。并用其中某

一方法具体说明一下（略）

•X射线荧光光谱仪上的X光管、分光晶体分别具有哪些特征?

答：X光管：1)输出功率高；2)输出强度恒定；3)操作温

度低；4)靶材纯度高；5)寿命长。

分光晶体：1)2dλ，衍射强度大；2)分辨率高；3)信噪

比大：4)稳定性好。

•背景的定义和它的主要组成部分?

答：当分析线不存在时，在分析线2θ角位置上测到的X射

线强度定义为此分析线处的背景。

背景的成分很复杂，主要来源于；1)由样品散射的X光管发出

的连续谱和特征谱；2)由晶体散射的样品的辐射线；3)晶体受

X射线照射后发出的二次X射线。

当峰背比小于10时，背景影响较大，需要准确扣除。背景

的正确扣除可以有效地降低检测下限。

•已知Cu的K系吸收限为1.38Å，求它的临界激发电压?

解：

•求LiF(200)晶体(2d=4.0276Å)对CuK(1.542Å)的角色散?如

α

B=O.078º=0.0014rad时，能否分开CuK双线(λ=1.5414Å，

αCu