CN2017105413409一种基于钯铜线的半导体键合工艺.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN107256834A

(43)申请公布日

2017.10.17

(21)申请号201710541340.9

(22)申请日2017.07.05

(71)申请人廖伟春

地址518000广东省深圳市宝安区西乡兴

业路湾上六座花园6栋A单元

(72)发明人廖伟春

(74)专利代理机构深圳市创富知识产权代理有

限公司44367

代理人霍如肖

(51)Int.Cl.

H01L21/60(2006.01)

H05K3/34(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图7页

(54)发明名称

一种基于钯铜线的半导体键合工艺

(57)摘要

本发明涉及一种基于钯铜线的半导体键合

工艺，包括：A.

劈刀移至芯片焊盘的位置，使用

表面镀钯的纯铜线构成的焊线线材制作第一个

焊点的焊球；B.

拉线弧，焊线线材被拉起到设定

的高度后，从最高点移动到第二个焊点的位置，

完成焊接线材的走线；C.

劈刀移至PCB板的焊盘

的位置，使用焊线线材焊接第二个焊点；其中，制

作第一个焊点和第二个焊点时，使用保护气体充

盈劈刀及劈刀的周边，保护气体的成分为：95%～

99%氮气和1%～5%的氢气，重量百分比。钯铜线的

价格只有不到金线价格的10%，可以节约大量的

成本；在键合过程中，使用氢气作为保护气，可以

A将铜从氧化铜里面还原出来；键合工艺参数范围

4变宽，非常有利于调整到最佳的工艺参数，获得

3

8

6优良的键合效果。

5

2

7

0

1

N

C

CN107256834A权利要求书1/1页

1.一种基于钯铜线的半导体键合工艺，其特征在于，包括：

A.

劈刀移至芯片焊盘的位置，使用表面镀钯的纯铜线构成的焊线线材制作第一个焊

点的焊球；

B.

拉线弧，焊头带动劈刀往上抬起，所述焊线线材被拉起到设定的高度后，从最高点

移动到PCB板第二个焊点的位置，完成所述焊接线材的走线；

C.

劈刀移至PCB板的焊盘的位置，使用所述焊线线材焊接第二个焊点；

其中，制作第一个焊点和第二个焊点时，使用保护气体充盈所述劈刀及劈刀的周边，所

述保护气体的成分为：95%～99%氮气和1%～5%的氢气，重量百分比。

2.如权利要求1所述基于钯铜线的半导体键合工艺，其特征在于，所述芯片焊盘为铝焊

盘或金焊盘，所述第一个焊点的焊球大小为所述芯片焊盘的大小的80%～95%。

3.

如权利要求1所述基于钯铜线的半导体键合工艺，其特征在于，所述PCB板的焊盘包

括从下而上的三层金属：铜层、镍层和银层，或铜层、镍层和金层，其中，所述铜层的厚度为

500800

μm，所述镍层的厚度为150250

μm，所述银层的厚度为60120

μm，所述金层的厚~~~

度为15

μm。~

4.如权利要求1所述基于钯铜线的半导体键合工艺，其特征在于，制作所述第一个焊点

的焊球时，包括预烧球阶段获得预烧球；

所述预烧球阶段：打火杆尖端与露出劈刀的所述焊接线材之间放电形成一个完整的电

流回路，所述电流回路的电流为2535

mA。~

5.如权利要求4所述基于钯铜线的半导体键合工艺，其特征在于，所述预烧球的直径的

3/4以内，所述钯元素所占重量比例低于10%。

6.如权利要求5所述基于钯铜线的半导体键合工艺，其特征在于，所述预烧球阶段：使

用环形喷嘴从下向上吹向所述焊接线材的端部的周侧，使所述钯元素少向所述预烧球的内

部扩散。

7.

如权