BEOL蚀刻腔体原位清洁(ICC)工艺的优化的开题报告.docxVIP

BEOL蚀刻腔体原位清洁(ICC)工艺的优化的开题报告

一、选题背景

BEOL蚀刻工艺是半导体制造中的重要工艺之一，它涉及到半导体器件的制造和可靠性。随着器件尺寸的不断缩小，BEOL蚀刻腔体内的残留物质在器件性能方面的影响也越来越大。因此，原位清洁（ICC）工艺变得越来越重要。ICC工艺可以有效地清除腔体内的残留物质，保证BEOL蚀刻过程的稳定性和器件的可靠性。但是，目前ICC工艺的优化仍有待探索，因此本文将研究BEOL蚀刻腔体ICC工艺的优化。

二、研究内容

（1）现有ICC工艺的综合分析

本文将综合分析现有ICC工艺的优点和不足，并对其进行比较和评价。分析内容包括清洁介质、清洁时间、清洁效果等方面。

（2）ICC工艺的参数优化研究

本文将研究ICC工艺的参数优化。通过实验和模拟，探究影响ICC清洁效果的主要因素，包括清洁介质、流速、清洁时间、气体流动等因素。找出最佳的ICC工艺参数，提高清洁效率和清洁效果。

（3）ICC工艺的性能验证

本文将对优化后的ICC工艺进行性能验证。通过实验和模拟，验证ICC工艺的清洁效率、清洁效果、处理时间等性能指标。同时与现有工艺进行比较，验证优化后ICC工艺的优越性。

三、研究意义

半导体工艺中清洁工艺一直是重点研究的领域之一。随着器件尺寸的不断缩小，清洁工艺对器件的影响也越来越大。优化ICC工艺可以提高BEOL蚀刻腔体的清洁效率和清洁效果，保证器件的可靠性。本研究的成果可以为BEOL蚀刻工艺的优化提供借鉴，促进半导体器件的稳定生产和高品质制造。

四、研究方法

本文将采用实验和模拟两种方法进行研究。实验方面，将使用现有的清洁介质，通过改变不同的参数条件，来研究ICC工艺的最佳参数优化。模拟方面，将使用CFD模拟软件，对清洁介质、流速、清洁时间、气体流动等因素进行模拟，预测工艺参数的优化效果。

五、进度安排

本文的进度计划如下：

第一阶段：文献综述（1个月）

第二阶段：实验研究（3个月）

第三阶段：模拟研究（2个月）

第四阶段：性能验证（1个月）

第五阶段：论文撰写和修改（3个月）

预计答辩时间：2022年6月。