杭电计组实验5-存储器设计实验.doc

杭电计组实验5-存储器设计实验

实验报告

2018年5月5日成绩：

姓名

阳光男

学号班级专业

计算机科学与技术

课程名称

《计算机组成原理与系统结构试验》

任课老师

张翔老师

指导老师

张翔老师

机位号

默认

实验序号

5

实验名称

《实验五存储器设计实验》

实验时间

2018/5/12

实验地点

1教211

实验设备号

个人电脑、Nexys3开发板

一、实验程序源代码

存储器顶层电路代码：

moduletop_RAM_B(Mem_Addr,C,Mem_Write,Clk,LED);

input[7:2]Mem_Addr;//开关的3、4、5、6、7、8位

inputMem_Write,Clk;//clk为按键C9，读写使能信号为按键C4，0为读，1为写

input[1:0]C;//选择写入数据+读操作时选择显示字节,为开关1、2位

outputreg[7:0]LED;

wire[31:0]M_R_Data;//存在存储器里的32位读出数据

reg[31:0]M_W_Data;//寄存在暂存器的32位写入数据

RAM_Btest_ram(

.clka(Clk),//输入时钟信号

.wea(Mem_Write),//输入读写信号

.addra(Mem_Addr[7:2]),//输入5位地址信号

.dina(M_W_Data),//写入32位数据

.douta(M_R_Data)//读出32位数据

);

always@(*)

begin

LED=0;//初始化

M_W_Data=0;//初始化

if(!Mem_Write)//读操作

begin

case(C)

2b00:LED=M_R_Data[7:0];//读出数据的0-7位

2b01:LED=M_R_Data[15:8];//读出数据的8-15位

2b10:LED=M_R_Data[23:16];//读出数据的16-23位

2b11:LED=M_R_Data[31:24];//读出数据的24-31位

endcase

end

else

begin

case(C)

2b00:M_W_Data=32h0055_7523;//写入第一个数据

2b01:M_W_Data=32h1234_5678;//写入第二个数据

2b10:M_W_Data=32h8765_4321;//写入第三个数据

2b11:M_W_Data=32hffff_ffff;//写入第四个数据

endcase

end

end

endmodule

测试代码：

moduletest;

//Inputs

regclka;

reg[0:0]wea;

reg[5:0]addra;

reg[31:0]dina;

//Outputs

wire[31:0]douta;

//InstantiatetheUnitUnderTest(UUT)

RAM_Buut(

.clka(clka),

.wea(wea),

.addra(addra),

.dina(dina),

.douta(douta)

);

initialbegin

//InitializeInputs

clka=0;

wea=0;

addra=0;

dina=0;

//Wait100nsforglobalresettofinish

#100;

//Addstimulushere

clka=1;

wea=0;

addra=6b000001;

dina=32h0000_0003;

#100;

clka=0;

wea=0;

addra=6b000001;

dina=32h0000_0607;

#100;

clka=1;

wea=1;

addra=6b000001;

dina=32hFFFF_FFFF;

#100;

clka=0;

wea=1;

addra=6b000001;

dina=32hFFFF_FFFF;

end

endmodule

二、仿真波形

三、电路图