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Co与ZnO半导体等复合膜磁电阻效应及自旋注入的研究的开题报告
题目：Co与ZnO半导体等复合膜磁电阻效应及自旋注入的研究
研究背景与意义：
磁电阻效应是指材料中在外加磁场下电阻的改变，是磁性材料在电子学器件中广泛应用的一种现象。自旋注入则是指通过自旋极化等手段，将电子的自旋极化注入到半导体材料中，以实现磁性调控。因此，磁电阻效应和自旋注入是两个重要的研究方向，并在实际应用中得到广泛应用。
在此基础上，本课题将研究Co与ZnO半导体等复合膜的磁电阻效应及自旋注入行为，探讨该复合膜在电子学器件中的应用前景。这对深入理解复合材料自旋极化和传输行为，开发具有磁电控制能力的器件等方面具有重要的理论和实际意义。
研究计划：
本研究计划从以下几个方面展开：
1.合成Co与ZnO的复合材料薄膜，并通过磁性测试、光学测试等手段对膜的物理性质进行分析。
2.研究复合材料的磁电阻效应，通过测试磁场下薄膜的电阻变化，探讨其可能的机制。
3.研究复合材料的自旋注入行为，通过测试自旋注入后的膜材料磁电性质的变化，阐述自旋注入对复合材料性质的调控作用。
4.聚焦器件应用，探讨Co与ZnO的复合材料在电子学器件中的应用前景，并设计相应的器件进行测试。
预期成果：
本研究计划预计可获得以下几个方面的成果：
1.合成得到具有一定磁性和光学性质的Co与ZnO等复合膜材料。
2.通过测试获得复合膜的磁电阻效应和自旋注入行为特征，并对其机制进行分析。
3.基于上述成果，初步探讨Co与ZnO复合膜在电子学器件中的应用前景，为实现磁性材料在器件开发中的应用提供参考和基础。
参考文献：
1.Zhao,S.,Fan,X.,Li,Y.D.,Zhu,X.J.,Wu,Y.Y.(2017).MagneticandtransportpropertiesofZnOthinfilmsdopedwithCo–Ag.JournalofAlloysandCompounds,712,461-467.
2.Niu,J.,Li,X.,Wu,H.,Xia,K.(2017).ElectricfieldmodulationofmagnetoresistanceinZnO-basedmagnetictunneljunctions.ScientificReports,7,16160.
3.Krick,A.L.,Sithambaram,S.,Reifenberger,R.G.,Yang,K.,Li,Y.(2009).Solid-stateelectronicdevices:Anintroduction.PearsonHigherEd.
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