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本发明公开了一种三电平半导体开关管门极驱动电路，包括4个MOS管，分别称为M1、M2、M3、M4，M1与M2的漏极相连，M1与M2的栅极相连，M1和M2的源极共同连接有PWM信号A；M3与M4的漏极相连，M3与M4的栅极相连，M3和M4的源极共同连接有PWM信号B；M1和M2的漏极共同通过电容C与M3的源极连接；Vcc的负极与Vee的正极相连并且接地，Vcc的正极与M1的源极连接，Vcc的正极通过二极管D与M3的源极及电容C连接；M3和M4的漏极共同输出驱动电路的输出信号。本发明的驱动电路结构所
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN113489479A
(43)申请公布日2021.10.08
(21)申请号202110795492.8
(22)申请日2021.07.14
(71)申请人西安工业大学
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