一种垂直栅半导体器件的制备方法.pdfVIP

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2024-05-29 发布于四川
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一种垂直栅半导体器件的制备方法.pdf

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本发明提供了一种垂直栅半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底内形成有沟槽以及分别位于所述沟槽两侧的光电二极管区和浮动扩散区；在所述衬底上形成第一多晶硅层，所述第一多晶硅层填充所述沟槽的部分深度；在所述第一多晶硅层上形成无定型硅层，所述无定型硅层填充所述沟槽的剩余深度，形成所述无定型硅层的同时通入掺杂气体进行原位掺杂；对所述无定型硅层进行热退火处理，以使所述无定型硅层转换为第二多晶硅层。本发明提供一种多晶硅的生长及掺杂方式，减少多晶硅中的杂质和晶格缺陷，进而改善图像传感器中漏电流及白色像素

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN113611718A

(43)申请公布日2021.11.05

(21)申请号202110865250.1

(22)申请日2021.07.29

(71)申请人上海华力微电子有限公司

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