单相桥式半控整流电路(电阻负载带续流二极管反电动势).docx

课程设计的目的与要求

引言

本方面有很大潜电力电子技术又称为功率电子技术，他是用于电能变换和功率掌握的电子技术。电力电子技术是弱电掌握强电的方法和手段，是当代高技术进展的重要内容，也是支持电力系统技术革命进展的重要根底，并节能降耗、增产节约提高生产效能的重要技术手段。微电子技术、计算机技术以及大功率电力电子技术的快速进展，极大地推动了电工技术、电气工程和电力系统的技术进展和进步。

电力电子器件是电力电子技术进展的根底。正是大功率晶闸管的制造，使得半导体变流技术从电子学中分别出来，进展成为电力电子技术这一特地的学科。而二十世纪九十年月各种全控型大功率半导体器件的制造，进一步拓展了电力电子技术应用和掩盖的领域和范围。电力电子技术的应用领域已经深入到国民经济的各个部门，包括钢铁、冶金、化工、电力、石油、汽车、运输以及人们的日常生活。功率范围大到几千兆瓦的高压直流输电，小到一瓦的手机充电器，电力电子技术随处可见。

电力电子技术在电力系统中的应用中也有了长足的进展，电力电子装置与传统的机械式开关操作设备相比有动态响应快，掌握便利，敏捷的特点，能够显著地改善电力系统的特性，在提高系统稳定、降低运行风险、节约运行成力。

课程设计的目的

“电力电子技术”课程设计是在教学及试验根底上，对课程所学理论学问的深化和提高。因此，通过电力电子计术的课程设计到达以下几个目的：

培育综合应用所学学问，并设计出具有电压可调功能的直流电源系统的力量；

较全面地稳固和应用本课程中所学的根本理论和根本方法，并初步掌整流电路设计的根本方法。

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培育独立思考、独立收集资料、独立设计的力量；

培育分析、总结及撰写技术报告的力量。

课程设计要求

设计条件：1.电源电压：沟通100V/50Hz2.输出功率：500W

3.触发角 ??60

反电势、电阻负载、带续流二极管E=75V

依据课程设计题目和设计条件，说明主电路的工作原理、计算选择元器件参数。设计内容包括：1.整流变压器额定参数的计算

晶闸管电流、电压额定参数选择

触发电路的设计

课程设计方案选择

整流电路

单相相控整流电路可分为单相半波、单相全波和单相桥式相控流电路，它们所连接的负载性质不同就会有不同的特点。而负载性质又分为带电阻性负载、电阻-电感性负载和反电动势负载时的工作状况。

单相桥式半控整流电路〔电阻负载反电动势〕电路简图如下：

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该电路在实际应用中需加设续流二极管VD，以避开可能发生的失控现象。实

R

际运行中，假设没有续流二极管，则当α突然增大至180o或触发脉冲丧失时，会发

生一个晶闸管持续导通儿两个二极管轮番导通的状况，这使U

d

成为正弦半波，即半

轴期U

d

为正弦，另外半周期U

d

为零，其平均值保持恒定，相当于单相半波不行控

整流电路时的波形，称为失控。例如当VT

1

导通时切断触发电路，则当U

2

变负时，

由于电感作用，负载电流由VT

1

和VD

2

续流，当U

2

又为正时，因VT

1

是导通的，U

2

又经VT

1

和VD

4

向负载供电，消灭失控现象。

有续流二极管VD

R

时，续流过程由VD

R

完成，在续流阶段晶闸管关断，这就避

免了某一个晶闸管持续导通从而导致失控的现象。同时续流期间导电回路只有一个压降管，少了一个压降管，有利于降低损耗。

元器件的选择[1]

晶闸管

晶管又称为晶体闸流管，可控硅整流〔SiliconControlledRectifier--

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SCR〕，开拓了电力电子技术快速进展和广泛应用的崭时代;20世纪80年月以来，开头被性能更好的全控型器件取代。能承受的电压和电流容量最高，工作牢靠，以被广泛应用于相控整流、逆变、沟通调压、直流变换等领域，成为功率低频〔200Hz以下〕装置中的主要器件。晶闸管往往专指晶闸管的一种根本类型--一般晶闸管。广义上讲，晶闸管还包括其很多类型的派生器件。

1〕晶闸管的构造

晶闸管是大功率器件，工作时产生大量的热，因此必需安装散热器。引出阳极A、阴极K和门极〔或称栅极〕G三个联接端。

内部构造:四层三个结如图2.2

2〕晶闸管的工作原理图

晶闸管由四层半导体〔P、N、P、N〕组成，形成三个结J〔PN〕、J〔NP〕、

1 1 2 2

1 11

2 12

J〔PN〕，并分别从P、P、N引入A、G、K三个电极，如图1.2(左)所示。由于具

3 22 1 2 2

有集中工艺，具有三结四层构造的一般晶闸管可以等效成如图2.3〔右〕所示的两

个晶闸管T〔P-NP〕和〔N-P-N〕组成的等效电路。

1 1 1-2 1 2 2

图2.2晶闸管的外