2011级微电子工艺学试卷(A卷)习题与讲解.pdfVIP

华中科技大学光学与电子信息学院同时，通过减小源漏区的结深，抑制短沟效应。(√)

学号

10、CMOS中，阱可为单阱(sigewe)、双阱(twiwe)或是倒退阱(retrogradewe)。单阱工艺有

2013—2014学年第二学期《微电子工艺学》试卷开卷

A()一些缺点，如要达到2～3μm的深度，需要超过1050ºC的高温及长达8h的扩散时间。这种工艺中，

题号一二三四总分表面掺杂浓度最高，掺杂浓度随着深度递减。为了降低工艺温度和时间，可利用高能离子注入将

姓名

得分离子直接注入到想要的深度而不需通过表面扩散。深度由离子注入的能量来决定，因此可用不同

的注入能量来设计不同深度的阱。阱中的杂质浓度峰值位于硅衬底表面，因而被称为倒退阱。(×)

所在专业、班级装一、判断下列说法的正误，正确的在后面括号中划“√”，错误的在后面括号中划“×”二、在给出的选项中选择一个正确的序号填在题后括号中。(每小题2分，共20分)

(每小题2分，共20分)1、德州仪器公司的科学家被视为微电子时代的先行者之一。他发明了第一块单

1、历史上著名的“八叛逆(TraitorousEight)”是指1955年因“仙童半导体公司(Fairchid片集成电路，为半导体器件的微型化和集成化奠定了基础，目前这个趋势仍然在继续。因在发明集

注意Semicoductor)”决定不再继续硅半导体研究的时候，八位年轻忍无可忍，在诺依斯(N.Noyce)成电路方面所取得的成就，他于2000年获得诺贝尔物理奖。(D)

四三二一带领下，向公司递交辞职书，集体辞职来到“晶体管之父”威廉〃肖克利创建的肖克利半导体实A.GordoMooreB.RobertNoyceC.WiiamShockeyD.CairKiby

、、、、

试考姓密验室的事件。(×)2、热氧化制备SiO2层时，在氧化气氛中加入氯可以使SiO2的质量得到很大改善，并可以增大氧化

卷生名封

印在、线2、一般金属的导电能力随温度上升稍有上升，变化不明显。但硅的导电能力随温度上升而下降，速率。氯的作用主要有以下方面：钝化可动离子，特别是钠离子；增加硅中少数载流子的寿命；减

刷答学内

不题号不且变化非常明显。(×)少中的缺陷，提高了抗击穿能力；降低界面态密度和固定电荷密度；。(D)

清前不准

楚应许答3、砷化镓高温氧化一般会导致薄膜不能按合理的化学计量比生成，电绝缘作用和对半导体表面的A.减少界面陷阱电荷B.减少氧化层固定电荷