垂直腔面发射激光器(VCSEL)的研究进展与应用.docx

垂直腔面放射激光器〔VCSEL〕的争论进展与应用

VCSEL的进展历史和优势

半导体激光器是信息化社会最具有代表性的关键光电子器件之一，已经在很多领域得到广泛的应用，争论人员在边放射激光器

(EdgeEmittingLaser，EEL)的研制过程中遇到了阵列制备工艺

简单、器件测试困难以及输出模式和波长难以掌握等问题。因此，

在1977年日本东京工业大学教授Klga提出了一种VCSEL的概念，并在1979年承受GaInAsP材料体系在77K温度下首次实

现脉冲输出。VCSEL是一种在与半导体外延片垂直方向上形成光学谐振腔、发出的激光束与衬底外表垂直的半导体激光器构造。

在这样的面放射半导体激光器构造中，光的输出端和器件底端都需要反射镜，而反射镜的高反射率对降低阈值电流密度起着格外巨大的作用。因此，人们针对高反射率的反射镜进展了各种争论，

例如介质膜分布式布拉格反射镜( Distributed Bragg

Reflectiors，DBR)、半导体DBR、复合反射镜以及金属膜反射镜等。GaAs材料体系的VCSEL从1983年开头争论到1986年实现低阈值的微腔操作，这期间承受两种不同类型的膜以四分之

一波长的厚度交替生长而成的DBR能实现光强反射，反射率到达了99%以上。到了1988年VCSELs器件承受多层SiO2/TiO2介

质膜DBR首次实现了850nm的室温连续激射；然而，虽然数对介质膜DBR即可实现高反射率，但是这种构造不导电且散热性差，为了改进这一状况，1986年年首次实现了AlGaAs/GaAs DBR的VCSEL器件，由于p型AlAs/Al0.1Ga0.9ASDBR具有较高的势垒电阻，因此该器件只在n侧使用半导体DBR，而另一侧反射镜承受Au/SiO2镜面组成。为了改进半导体DBR的势垒电阻问题，很多争论机构进展了报道，其中代表性的器件是承受高浓度 Zn掺杂的AlAs层制备p型DBR；此外，为了避开DBR的高势垒电

阻问题，VCSEL器件承受光泵浦方式工作，或者削减一侧DBR的层数和一个外部输出耦合镜相结合，实现连续输出。而量子阱(QuantumWells，QWs)和量子点(QuantumDots，QDs)构造应用于VCSEL的有源区域时，进一步提高了VCSEL输出性能。

随后，VCSEL器件的深入争论呈现了其本身所具有的独特优势，

实现了高功率输出、高调制速率以及高温稳定等性能。与传统的EEL构造不同，VCSEL构造是由上下DBR、QWs、氧化孔径和上下金属电极组成，其有源区位于n型掺杂的DBR和p型掺杂的DBR之间，这种构造具有很多独特的优势：(１)光束质量：

VCSEL的出射光是从一个圆形对称的台面中出射，输出小发散角

的圆型对称光斑，通过简洁的光束整形系统，就可以实现低本钱

高效率的耦合；(２)阈值低：由于VCSEL有源区的体积小，简洁实现低阈值激射，甚至可以到达uA量级；(３)无镜面损伤：VCSEL的反射镜是外延生长的两个DBR，不存在激光腔面光学损伤问题；

(４)稳定性和牢靠性：组成VCSEL的半导体材料折射率随温度变

化很小，导致器件的激射波长温漂小，具有格外宽的工作温度范围；(５)单纵模输出:VCSEL的谐振腔长度很短，即um量级，纵模间距较大，只在单纵模下输出，可以得到较大的弛豫振荡频

率；(６)大尺度二维阵列：VCSEL的出光方向垂直于基底，易于实现高密度二维阵列集成的大功率输出且低本钱制造的晶圆测试 。

随着：VCSEL的大口径以及二维阵列和多结的开发，VCSEL的输出功率有了显著的提高。针对高功率半导体激光器在激光泵浦、

医疗、军事以及材料加工等应用领域的需求日益增长。高功率VCSEL成为很重要的一个争论方向。而且近年来：VCSEL在消费市场的应用越来越广泛，包括激光雷达(LiDAR)、距离传感、自动对焦、3D传感、虹膜识别、空气和水质检测以及虚拟现实(VR)

/增加现实(AR)/混合现实(MR)等等，针对高功率VCSEL的需

求也越来越大。同时，由于先进驾驶系统(AdvancedDrivingAssistanceSystems，ADAS)、云计算、物联网技术与5G通信

技术等应用愈发成熟，信息的快速爆炸产生了对数据带宽大幅增长的需求，而VCSEL具有较大的弛豫振荡频率