传感器课程设计——霍尔传感器测量磁场.docx

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目录

\l“_TOC_250018“一、课程设计目的与要求 2

\l“_TOC_250017“二、元件介绍 3

\l“_TOC_250016“三、课程设计原理 6

\l“_TOC_250015“霍尔效应 6

\l“_TOC_250014“测磁场的原理,载流长直螺线管内的磁感应强度 8

\l“_TOC_250013“四、课程设计内容 10

\l“_TOC_250012“电路补偿调整 10

\l“_TOC_250011“失调电压调零 10

\l“_TOC_250010“按图4-3接好信号处理电路 10

\l“_TOC_250009“按图4-4接好总测量电路 11

\l“_TOC_250008“数据记录与处理 12

\l“_TOC_250007“数据拟合 14

\l“_TOC_250006“五、成品展现 16

\l“_TOC_250005“六、分析与争论 17

\l“_TOC_250004“试验所需仪器 19

\l“_TOC_250003“个人总结 20

\l“_TOC_250002“致谢 21

\l“_TOC_250001“参考文献 22

\l“_TOC_250000“参考网址 22

一、课程设计目的与要求

了解霍尔传感器的工作原理

把握运用霍尔传感器测量磁场的方法

二、元件介绍

CA3140

CA3140高输入阻抗运算放大器,是美国无线电公司研制开发的一种BiMOS高电压的运算放大器在一片集成芯片上，该CA3140A和CA3140BiMOS运算放大器功能保护MOSFET的栅极〔PMOS上〕中的晶体管输入电路供给格外高的输入阻抗，极低输入电流和高速性能。操作电源电压从4V至36V〔无论单或双电源),它结合了压电PMOS晶体管工艺和高电压双授晶体管的优点.(互补对称金属氧化物半导体)卓越性能的运放。

应用范围:

.单电源放大器在汽车和便携式仪表

.采样保持放大器

.长期定时器

.光电仪表

.探测器

.有源滤波器

.比较器

.TTL接口

.全部标准运算放大器的应用

.函数发生器

.音调掌握

.电源

.便携式仪器

3503霍尔元件

UGN3503LT，UGN3503U和UGN3503UA霍尔效应传感器准确地跟踪磁通量格外小的变化，密度变化通常太小以致不便利操作霍尔效应开关。

可作为运动探测器，齿传感器和接近探测器，磁驱动机械大事的镜像。作为敏感电磁铁的显示器，就可以有效地衡量一个系统的负载量可以无视不计的性能，同时供给隔离污染和电气噪声。

每个霍尔效应集成电路包括一个霍尔传感元件，线性放大器和射极跟随器输出级。

三种封装形式供给了对磁性优化包大多数应用程序。封装后缀“LT”是一个缩影SOT-89/TO243AA外表贴装应用的晶体管封装;后缀“U”是一个微型三引脚塑料SIP，而”UA”是一个三引脚超小型SIP协议。全部器件的额定连续运行温度范围为-20°C至+85°C。

特点:

2极为敏感

2至23kHz的平坦的响应2低噪声输出

24.5V至6V的操作2磁性优扮装箱

图2-4 3503霍尔元件封装及引脚图

三、课程设计原理

霍尔效应

图3-1-1霍尔效应原理图

把矩形的金属或半导体薄片放在磁感应强度为B的磁场中，薄片平面垂直于磁场方向。如图3-1-1所示，在横向方向通以电流I，那么就会在纵向方向的两端面间消灭电位差，这种现象称为霍尔效应，两端的电压差称为霍尔电压，其正

负性取决于载流子的类型。(图3-1-1载流子为带负电的电子，是N型半导体或

金属)，这一金属或半导体薄片称为霍尔元件。假设霍尔元件由N型半导体制成，当霍尔元件上通有电流时，自由电子运动的方向与电流I的流向相反的。由于洛

伦兹力Fm??ev?B的作用，电子向一侧偏转，在半导体薄片的横向两端面间形成电场

称为霍尔电场EH，对应的电势差称为霍尔电压UH。电子在霍尔电场EH中所受

的电场力为FH??eEH，当电场力与磁场力到达平衡时，有

? ?? ?

eEH??ev?B?0

EH??v?B

假设只考虑大小，不考虑方向有

EH=vB

因此霍尔电压

H HU

H H

依据经典电子理论，霍尔元件上的电流I与载流子运动的速度v之间的关系

为

I=nevwd (2)

式中n为单位体积中的自由电子数，w为霍尔元件纵向宽度，d为霍尔元件

的厚度。由式(1)和式(2)可得

IB ?R ?

U ? ?? H?IB?K IB

H end