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变温霍尔效应
【试验目的】
了解变温霍尔效应及范德堡测量方法；
测量碲镉汞单晶样品变温霍尔效应，获得其霍尔系数、电阻率、迁移率、载流子浓度等随温度的变化规律。
【试验原理】
霍尔效应是争论半导体材料性能的根本试验方法，通过它可以确定材料的电学参数，如霍尔系数、电阻率、迁移率、导电类型、载流子浓度等。变温霍尔效应测量则可以争论材料上述电学参数随温度的变化，从而获得对半导体材料电输运性质的更深入了解。
A.电阻率
用范德堡法测量电阻率时〔磁感应强度B=0〕，依次在一对相邻的电极间通入电流，用另一对电极测量电压。如上图所示，在M、P
电极间通入电流I
，测量O、N间电压V
，得到：
MP
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