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神经形态计算器件的物理实现

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第一部分阈值开关器件的物理机制 2

第二部分memristor器件的电阻调制原理 3

第三部分磁阻随机存储器（MRAM）的磁翻转行为 5

第四部分光电器件的神经形态计算 9

第五部分纳米尺度电子器件的神经元模拟 12

第六部分生物材料的神经形态计算应用 15

第七部分新型材料对神经形态计算器件的影响 18

第八部分神经形态计算器件的集成和系统实现 20

第一部分阈值开关器件的物理机制

关键词

关键要点

【氧缺陷迁移】

1.阈值开关器件的电导率变化是由氧缺陷的迁移和积累引起的。

2.在低电压下，氧缺陷通过晶界或晶体缺陷迁移，导致电导率增加。

3.在高电压下，大量的氧缺陷被注入和积累，形成导电丝，进一步提高电导率。

【相变】

阈值开关器件的物理机制

阈值开关器件（TSO）是一种非易失性存储器件，具有双稳态电阻状态，可以通过施加电压脉冲来切换。其物理机制因材料和器件结构而异。

氧化物电介质TSO

氧化物电介质TSO通常由金属-绝缘体-金属（MIM）结构组成，其中氧化物层作为电介质。电介质层在施加电压时会发生氧空位的形成和迁移，从而形成导电细丝。当电压低于阈值电压时，导电细丝不会形成，器件保持高阻态。超过阈值电压后，导电细丝会快速形成，导致器件切换到低阻态。反过来，在施加反向偏置电压时，导电细丝会断裂，器件返回高阻态。

钙钛矿TSO

钙钛矿TSO也采用MIM结构，但电介质层由钙钛矿材料组成。当施加电压时，钙钛矿层中的离子会迁移，形成离子迁移通道。这些通道具有较低的电阻，使器件切换到低阻态。当反向偏置电压施加时，离子通道会断裂，器件返回高阻态。

相变TSO

相变TSO利用材料的相变来实现开关功能。在高阻态下，电极与电介质层之间的界面处于一种稳定的非晶相。施加电压后，界面处的电场会引起材料的局部加热，导致相变为低阻态的晶态。当电压被移除时，材料会冷却并返回非晶相，器件回到高阻态。

忆阻器TSO

忆阻器TSO利用活性电介质层中电化学反应引起的电阻变化来实现开关功能。电极与电介质层之间的界面处发生了金属离子迁移和氧化还原反应，形成一个导电细丝或局部电阻区域。施加电压时，导电细丝会扩展或收缩，从而改变器件的电阻。

阈值开关器件的特性

阈值开关器件具有以下特性：

*非易失性：在施加电压后，器件的阻态可以长时间保持。

*双稳态：器件可以存在高阻态和低阻态两种稳定状态。

*阈值电压：超过阈值电压时，器件会切换状态。

*瞬态响应：器件的开关过程通常非常快，在纳秒至微秒范围内。

*循环耐用性：器件可以承受多次开关循环，保持可靠的操作。

阈值开关器件由于其独特的特性和在神经形态计算中的潜力而受到广泛研究。它们可以用于实现类脑计算中使用的神经元和突触的功能。

第二部分memristor器件的电阻调制原理

关键词

关键要点

【忆阻器件的电导调制原理】：

1.隧穿电阻模型：忆阻器器件由两个电极和一个中间氧化物层组成。当外加电压较低时，载流子通过氧化物层的隧道效应进行电导。

2.氧化物层的氧空位迁移：外加电压较高时，氧化物层的氧空位开始移动。阳极附近的氧空位浓度增加，形成高导电区域。

3.电导模式的非易失性：氧空位的移动是一个非易失性的过程。一旦电导模式改变，它将在断电后保持。

【电化学金属化模型】：

Memristor器件的电阻调制原理

Memristor是一种两端器件，其电阻可以根据之前施加在其上的电压或电流而改变。电阻调制是基于器件内部氧离子（O2?）在电极之间迁移的机制。

电阻调制机制

*正向偏压（写入）：当正电压施加到器件时，氧离子从阳极向阴极迁移。这会在阳极附近形成一个窄的绝缘氧化物层，增加器件的电阻。

*反向偏压（擦除）：当反电压施加到器件时，氧离子??阴极向阳极迁移。这会缩小氧化物层，减少器件的电阻。

*非易失性：一旦电阻通过施加电压而改变，它将在没有施加电压的情况下保持不变。这是由于氧离子的位置保持不变，即使电源断开。

物理模型

电阻调制过程可以通过以下物理模型来描述：

氧化物层生长和溶解：

*正向偏压下，氧离子从阳极迁移到阴极，在阳极附近形成氧化物层。

*反向偏压下，氧离子从阴极迁移到阳极，溶解氧化物层。

界面处的氧化物层厚度（d）：

*氧化物层厚度决定了器件的电阻。

*正向偏压增加d，反向偏压减少d。

电阻（R）：

*器件的电阻与氧化物层厚度成正比：R∝d。

电压-电流（V-I）特性

Memristor的V-I特性是非线性的，其形状取决于施加电压的极性。

*写