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《半导体分立器件型号命名方法》(征求意见稿)编制说明
一、工作简况
1、任务来源
《半导体分立器件型号命名方法》是国家标准化管理委员会下达的2023年国家标准复审修订计划项目,计划项目批准文号:国标委发【2023】64号,计划代号T-339。由中华人民共和国工业和信息化部(电子)提出,全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口,主要承办单位:中国电子技术标准化研究院,项目周期为16月。
2、制定背景
半导体分立器件是电子行业产业链中的通用基础产品,为电子系统中的最基本单元,是各种工程中应用较广泛的产品门类之一。
GB/T249-2017《半导体分立器件型号命名方法》是半导体分立器件的型号命名方法,规定了小信号管、混频管、检波管、电压调整管和电压基准管、变容管、整流管、整流堆、隧道管、开关管、低频小功率晶体管、高频小功率晶体管、低频大功率晶体管、高频大功率晶体管、闸流管、体效应管、雪崩管、阶跃恢复管、场效应晶体管、晶体管阵列、肖特基二极管、瞬态抑制二极管等各类分立器件的型号命名方法。
GB/T249规定了各类分立器件的型号命名方法,有效指导了研制单位对器件进行分类和命名,极大的方便了用户对器件的选用。随着半导体分立器件技术的发展,新材料、新结构、新功能的分立器件不断出现,GB/T249-2017已不能满足新型分立器件型号命名的需求。例如,采用碳化硅、氮化镓等宽禁带材料制造的二极管、场效应晶体管已在新能源汽车、轨道交通等领域得到应用;又如,为了便于控制场效应晶体管的工作,部分场效应晶体管将集成电路集成到分立器件内部;再如,静电放电保护器件。
上述各类新型器件缺少型号命名方法,不同单位命名比较混乱,不能体现产品的类型和特点,不利于用户对产品的选择和使用,因此急需对GB/T249进行修订,研究并增加各类新型器件的型号命名方法。
3、工作过程
(1)立项阶段
基于前期研究,完成项目建议书,形成标准草案,向全国半导体器件标准化技术委员会(TC78)提出标准立项申请,于2023年12月28日正式纳入2023年国家标准复审修订计划项目,计划项目代号T-339。
(2)起草阶段
项目立项后,牵头单位广泛征集起草单位,于2024年1月正式成立标准编制工作组,制定标准研制具体实施计划与起草单位标准内容分工任务,推进开展收集和分析相关标准资料等工作。
2024年2月-5月,标准工作组对现有的半导体分立器件型号命名方法进行了分析,对需要补充的命名方法的器件类型进行了研究,组织召开线上讨论会,广泛征求内部参编单位意见,完善标准草案形成标准征求意见稿并编写了编制说明。
4、标准编制的主要成员单位及其所做的工作
本标准的主要承办单位为中国电子技术标准化研究院,主要参与单位包括济南市半导体元件实验所、杭州三海电子科技股份有限公司等半导体分立器件领域的研制单位、用户、检测机构。
二、标准编制原则和确定主要内容的论据及解决的主要问题
1、编制原则
GB/T249-2017《半导体分立器件型号命名方法》是半导体分立器件的型号命名方法,规定了小信号管、混频管、检波管、电压调整管和电压基准管、变容管、整流管、整流堆、隧道管、开关管、低频小功率晶体管、高频小功率晶体管、低频大功率晶体管、高频大功率晶体管、闸流管、体效应管、雪崩管、阶跃恢复管、场效应晶体管、晶体管阵列、肖特基二极管、瞬态抑制二极管等各类分立器件的型号命名方法。GB/T249规定了各类分立器件的型号命名方法,有效指导了研制单位对器件进行分类和命名,极大的方便了用户对器件的选用。
随着半导体分立器件技术的发展,新材料、新结构、新功能的分立器件不断出现,GB/T249-2017已不能满足新型分立器件型号命名的需求。例如,采用碳化硅、氮化镓等宽禁带材料制造的二极管、场效应晶体管已在新能源汽车、轨道交通等领域得到应用;又如,为了便于控制场效应晶体管的工作,部分场效应晶体管将集成电路集成到分立器件内部;再如,静电放电保护器件。
上述各类新型器件缺少型号命名方法,不同单位命名比较混乱,不能体现产品的类型和特点,不利于用户对产品的选择和使用,因此急需对GB/T249进行修订,研究并增加各类新型器件的型号命名方法。
2、主要内容及其确定依据
本次修订将主要增加以下类型器件的型号命名方法:
——氮化镓器件场效应晶体管
——碳化硅二极管
——碳化硅场效应晶体管
——ESD保护器件
——数字晶体管。
3、编制过程中解决的主要问题(做出的贡献)
此次修订,主要解决了氮化镓器件场效应晶体管、碳化硅二极管、碳化硅场效应晶体管、ESD保护器件和数字晶体管缺少型号命名方法要求的问题,为规范上述
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