CMOS图像传感器及其制造方法.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN1893099A

(43)申请公布日2007.01.10

(21)申请号CN200610094160.2

(22)申请日2006.06.27

(71)申请人东部电子有限公司

地址韩国首尔

(72)发明人金相植

(74)专利代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人李涛

(51)Int.CI

H01L27/146

H01L21/822

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

CMOS图像传感器及其制造方法

(57)摘要

提供一种CMOS图像传感器及其制

造方法。该图像传感器包括层间绝缘层，

滤色层，第一平滑层，以及至少一个微透

镜。该层间绝缘层形成在包括至少一个光

电二极管的半导体衬底上。该滤色层形成

在层间绝缘层上并且包括至少一个具有预

定波长的滤色片。该第一平滑层形成在包

括滤色层的半导体衬底的整个表面上，并

且具有通过预定热处理被硬化之后的均匀

表面张力。该至少一个微透镜与光电二极

管相对应地形成在第一平滑层上。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器，包括：

形成在半导体衬底上的层间绝缘层，该半导体衬底包括至少一个光电二极管；

形成在该层间绝缘层上的滤色层，包括至少一个具有预定波长的滤色片；

形成在包括滤色层的半导体衬底的整个表面上的第一平滑层，并且具有通过预定的

热处理被硬化后的均匀表面张力；以及

形成在第一平滑层上的对应于光电二极管的至少一个微透镜。

2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中通过在第一平滑层硬化之后照射

UV(紫外线)射线来使得该第一平滑层具有均匀表面张力。

3.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中该平滑层的厚度为0.5-1.5μm。

4.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中对每个滤色片进行UV射线照射，

以改进滤色片的表面稳定性。

5.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，还包括第二平滑层，该第二平滑层包

括形成在半导体衬底上的层间绝缘层上的有机材料。

6.根据权利要求5所述的CMOS图像传感器，其中该第二平滑层的厚度为大约

50nm或更小。

7.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，还包括层间绝缘层中形成的阻光层，

用于阻止光入射到除了光电二极管之外的区域。

8.一种CMOS图像传感器的制造方法，该方法包括：

在包括至少一个光电二极管的半导体衬底上形成层间绝缘层；

在层间绝缘层上形成包括至少一个具有预定波长的滤色片的滤色层；

在包括滤色层的半导体衬底的整个表面上形成第一平滑层；

对半导体衬底上形成的第一平滑层进行热处理以硬化该第一平滑层；

将UV(紫外线)射线照射在硬化后的第一平滑层的整个表面上；以及

在已经被UV射线照射的第一平滑层上形成至少一个与光电二极管相对应的微透镜。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其中该第一平滑层的厚度为0.5-1.5μm。

10.根据权利要求8所述的制造方法，其中形成滤色层包括通过对(R)红，(G)绿，和

(B)蓝滤色片进行三步光刻法处理来形成分色层，

并且为了改进其表面稳定性，R、G和B滤色片中的每一个都被暴露给UV射线。

11.根据权利要求8所述的制造方法，进一步包括，在半导体衬底上形成层间绝缘

层之后，形成由有机材料构成的第二平滑层。

12.根据权利要求11所述的制造方法，其中该第二平滑层的厚度为大约50nm或更

小。

13.根据权利要求8所述的制造方法，其中在温度150-300℃对第一平滑层进行硬化。

14.根据权利要求8所述的制造方法，其中形成微透镜包括：在第一平滑层上涂覆

用于透镜的抗蚀剂层，并接着通过曝光和显影处理对抗蚀剂