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Si肖特基二极管直流及高频建模
刘江宜;唐杨;王丁;王燕
【摘要】承受分段提参的方法，针对SMIC130nmCMOS工艺下CoSi2-Si肖特基二极管的直流及高频特性建立统一模型。直流时除了热放射效应，也考虑了势垒不均匀效应、大注入效应及隧穿效应的影响。高频时，在直流特性根底上特别考虑了衬底以及金属寄生效应的影响。该模型直流拟合误差为1.26％，高频时在整个测试频段(1GHz~67GHz)内电阻、电容拟合误差分别为3.16％和2.25％。据我们所知，这是首次针对CoSi2-Si肖特基二极管建立完整模型，考虑直流及高频特性并给出了相应的提参步骤。%Aunifie
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