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2024-07-23 发布于北京
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常见薄膜材料参数

摘自《光学薄膜技术》卢进军、刘卫国编著

材料

熔点(℃)

蒸发温度(℃)

蒸发方法(1)

密度g/cm2

折射率(2)

吸收消光系数

透明区

μm

膜结构聚集密度p

牢因度(3)

备注

AgBr

434

6.47

2.25(0.55μ)

AgCl

455

790

B(Mo)

5.56

2.07(0.55μ)

2.02(1μm

0.4~30

As2S3

300

246

B(Mo,Ta)

3.43

2.47(1.06μ)

2.37(10μ)

8×10-3(1.08μ)

0.58~10

无定形

毒性

As2Se3

B(Mo,Ta)

2.82(3.8μ)

3×10-3(3.8μ)

无定形

毒性

Al2O3

2020

2100

B(W)E

3.98

1.54(0.55μ,40℃)

1.62(0.55μ,300℃)

2.3×10-3(0.515μ)

8×10-3(1.06μ)

0.2~8

无定形

p=1.0

H,▲▲▲,1

AlF3

900

1.38(0.55μ)

0.2~30

无定形

P=0.64(35℃)

ST小

Bi2O3

860

P(Pt)

8.3

2.45(0.55μ)

0.4~

FH1

BiF3

727

B(C)

5.32

1.74(1μ)

8×10-4(10.6μ)

0.26~20

结晶

MC,1

BaF2

1280

4.83

1.47(1μ)

1.4(8μ)

1.395(10μ)

5×10-4(10.6μ)

0.25~15

结晶

P=0.91(20℃)

M,T小,2

B2O3

450

B(Pt,Mo)

2.46

1.61

T小

BeO

2530

2230

B(W)E

3.01

1.72~1.73

毒性

CaF2

1360

1280

B(W,Ta,Mo)

3.2

1.23~1.46(0.55μ)

0.5~12

结晶

p=0.57

FH,T小,1

CeF3

1460

1350

B(W)E

6.16

1.63(0.55μ,300℃)

A=2.588,B=0.1934(300℃)

1.4×10-5(0.633μ)

0.3~5

结晶

P=0.8(30℃)

FH,T大,1

CdS

1750

800

B(Pt,Ta)

4.8

2.53(0.6μ,30℃)

A=5.235,B=0.1819

2.9×10-3(0.515μ)

0.55~7

结晶

CdTe

1041

B(Mo)

6.2

3.05(1μ)

2.66(10μ)

0.93~30

H,▲,2

CeO3

1950

1600

B(W)E

7.13

2.2(0.55μ,30℃)

2.38(0.55μ,250℃

A=3.621,B=0.17112

0.4~12

结晶

HC,1

CdSe

1350

700

B(W)

5.81

3.5(1μ)

0.97~

M,▲,2

材料

熔点(℃)

蒸发温度(℃)

蒸发方法(1)

密度g/cm2

折射率(2)

吸收消光系数

透明区

μm

膜结构聚集密度p

牢因度(3)

备注

CaBr

636

B(W,Mo)

3.04

1.8(25μ)

1.67(3.3μ)

0.23~40

CaI

626

4.51

1.787(0.55μ)

0.25~60

Cr2O3

2275

1900

B(W)E

5.2

2.1(0.63μ)

FH1

C(金刚石)

3700

2601

3.5

2.38(4μ)

A=5.654,B=0.0565

Dy2O3

2340

2.0(0.29μ,350℃)

1.91(0.55μ,350℃)

0.28~

FH1

Eu2O3

2050

1.88(0.7μ,350℃)

0.3~

FH1

Fe2O3

1565

5.1

2.72(0.55μ)

0.11(0.55μ)

0.8~

959

1690

B(C)E

5.3

4.4(2μ)

A=15.992,B=1.8793

1.7~23

无定形(300℃)

H,▲,T大,1

GaAs

1338

850

5.34

3.2(μ)

0.9~18

无定形

Gd2O3

2340

2200

RSE

1.8(0.55μ)

0.32~15

FH1

HfO2

ERS

2.15(0.25μ)

A=3.1824,B0.09188

2×10-3(0.25μ)

7×10-4(0.3μ)

0.22-12

H,▲▲,1

Ho2O3

2365

2.0(0.5μ,350℃)

0.25~

FH1

InAs

943

双源

5.66

4.5

3.8~7

InSb

535

双源

5.77

4.3

7~16

In2O3

R(W)E

7.18

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