基于三重RESURF技术的低阻LDMOS器件设计.docx

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基于三重RESURF技术的低阻LDMOS器件设计

摘要

近年来，LDMOSFET已成为单片高压和智能电源应用的首选器件。在保持击穿电压(BreakdownVoltage,简称BV)额定值的同时降低比导通电阻（Specificon-resistance）一直是功率器件设计的主要问题。然而这两个电气参数往往具有相互矛盾的要求。因此，LDMOS的结构优化是器件设计中的关键步骤。LDMOS器件有两大类。一种是常规的LDMOSFET。另一个是RESURELDMOSFET。传统的LDMOSFET通常需要厚且低掺杂的外延层，这使其很难与低压电路集成