AgSiNWs的制备及性能研究.doc

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Ag/SiNWs的制备及性能研究

摘要

本论文主要对银修饰的硅纳米线材料的制备及其性能进行了探究，以硅纳米线为基底，采用无电化学沉积法将纳米银颗粒沉积在硅纳米线阵列结构上，得到Ag/SiNWs复合材料。从SEM图分析可知，硅纳米线整齐地排列在硅片上，具备典型的硅纳米线阵列结构，同时银纳米颗粒均匀地覆盖在硅纳米线表面：Ag/SiNWs复合材料的具有较低的反射率，其平均反射率为2.4%；Ag/SiNW复合材料表现了良好的光电性能，随着沉积时间的延长，光电流先增加后减小，其最佳镀银时间为5min，在外压为-0.8V，其平均的光生电流为0.005A。

关键词：硅纳米线；A